[发明专利]半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，包括：

第一步骤，其利用接合线在电极片上形成凸点，所述电极片形成在基板的与半导体芯片相对应的区域中；

第二步骤，其在堆叠于所述基板上的叠层用基板中形成导通孔，并且用导电膏填入所述导通孔，在所述叠层用基板的第一主表面上形成有导电层，所述导通孔从所述叠层用基板的第二主表面到达所述导电层；

第三步骤，其通过绝缘层将所述叠层用基板附着到所述基板上，并且通过所述导电膏连接所述导电层与所述凸点；以及

第四步骤，其将所述基板分割成单独的块，

其中，所述凸点穿透所述绝缘层。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，还包括如下步骤：

蚀刻所述导电层以便将所述导电层图案化。

3.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，还包括如下步骤：

将所述导电层用作供电层，通过电解电镀法来进行图案电镀工序。

4.一种半导体器件的制造方法，包括：

第一步骤，其利用接合线在电极片上形成凸点，所述电极片形成在基板的与半导体芯片相对应的区域中；

第二步骤，其在堆叠于所述基板上的导电层上形成由导电膏制成的连接图案；

第三步骤，其通过绝缘层将所述导电层附着到所述基板上，并且通过所述连接图案连接所述导电层与所述凸点；以及

第四步骤，其将所述基板分割成单独的块，

其中，所述凸点穿透所述绝缘层。

5.根据权利要求4所述的半导体器件的制造方法，还包括如下步骤：

蚀刻所述导电层从而将所述导电层图案化。

6.根据权利要求4所述的半导体器件的制造方法，还包括如下步骤：

将所述导电层用作供电层，通过电解电镀法来进行图案电镀工序。

7.根据权利要求4所述的半导体器件的制造方法，其中，

将所述导电层堆叠在用于支撑所述导电层的支撑层上，并且通过所述绝缘层将所述导电层附着到所述基板上，并且

在将所述导电层附着到所述基板上之后，去除所述支撑层。

8.根据权利要求4所述的半导体器件的制造方法，其中，

堆叠在所述基板上的所述导电层是构成多层配线结构的导电层。

9.一种半导体器件的制造方法，包括：

第一步骤，其利用接合线在电极片上形成凸点，所述电极片形成在基板的与半导体芯片相对应的区域中；

第二步骤，其使所述凸点的末端部分与由导电膏制成的层接触，从而将所述导电膏转移到所述末端部分上；

第三步骤，其通过绝缘层将堆叠在所述基板上的导电层附着到所述基板上，并且通过所述导电膏连接所述导电层与所述凸点；以及

第四步骤，其将所述基板分割成单独的块，

其中，所述凸点穿透所述绝缘层。