[发明专利]半导体集成器件和该半导体集成器件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体集成器件，其包括至少一个晶体管、至少一个接触结构、以及衬底，所述衬底包括平坦的衬底表面以及设置在所述平坦的衬底表面下方的所述衬底中的掺杂阱，所述掺杂阱包括p掺杂剂类型和n掺杂剂类型之一的第一掺杂剂类型的掺杂剂，所述晶体管包括：

第一源/漏扩散区域和第二源/漏扩散区域，设置在所述掺杂阱和沟道区域中，

栅极介电部，设置在所述衬底上，

栅电极结构，在所述衬底表面上方和所述栅极介电部上方突出，所述栅电极结构包括栅电极和包括侧向侧壁的栅电极隔离部；

其中，在所述衬底表面上或所述衬底表面上方设置所述接触结构，并且所述接触结构邻接所述栅电极隔离部的所述侧向侧壁以及与所述第一源/漏扩散区域电接触，

其中，所述第一源/漏扩散区域包括重掺杂的主掺杂剂注入区域和另一掺杂剂注入区域，两者均由第二掺杂剂类型而不是所述第一掺杂剂类型的掺杂剂形成，并且空间上彼此重叠，以及

其中，所述另一掺杂剂注入区域延伸到所述衬底表面下方比所述主掺杂剂注入区域深的所述衬底中。

2.根据权利要求1所述的半导体集成器件，

其中，所述第一源/漏扩散区域和所述接触结构沿第一侧面方向侧向地设置在所述栅电极结构和所述沟道区域的旁边，并且由所述栅电极隔离部的所述侧向侧壁限定沿所述第一侧向的所述另一掺杂剂注入区域的侧向位置。

3.根据权利要求1所述的半导体集成器件，

其中，所述主掺杂剂注入区域沿第一侧向与所述另一掺杂剂注入区域相比更接近于所述沟道区域。

4.根据权利要求1所述的半导体集成器件，

其中，由包括所述栅电极和所述栅电极隔离部的所述栅电极结构中的所述栅电极的栅极侧壁限定所述主掺杂剂注入区域的侧向位置。

5.根据权利要求1所述的半导体集成器件，

其中，所述栅电极隔离部包括至少一个侧壁隔离物，所述侧壁隔离物侧向隔离所述栅电极并包括所述栅电极结构的所述侧向侧壁。

6.根据权利要求5所述的半导体集成器件，

其中，接触结构邻接所述栅电极结构的侧壁隔离物。

7.根据权利要求1所述的半导体集成器件，

其中，所述接触结构以自对准方式邻接所述栅电极结构。

8.根据权利要求1所述的半导体集成器件，

其中，所述主掺杂剂注入区域包含重掺杂剂浓度，并且所述另一掺杂剂注入区域包含比所述重掺杂剂浓度低但比所述掺杂阱的掺杂剂浓度高的中等掺杂剂浓度。

9.根据权利要求8所述的半导体集成器件，

其中，所述主掺杂剂注入区域的所述重掺杂剂浓度沿所述第一侧向比所述另一掺杂剂注入区域的所述中等掺杂剂浓度更接近所述沟道区域。

10.根据权利要求1、8或9所述的半导体集成器件，

其中，所述主掺杂剂注入区域比所述另一掺杂剂注入区域浅。

11.根据权利要求1至9中任一项所述的半导体集成器件，

其中，所述重叠所述第一源/漏扩散区域的主掺杂剂注入区域和另一掺杂剂注入区域组合地限定所述接触结构下方的所述衬底中设置的所述第二掺杂剂类型的掺杂剂的掺杂剂浓度分布，所述掺杂剂浓度分布具有随所述衬底中深度增加而变化的掺杂剂浓度。

12.根据权利要求11所述的半导体集成器件，

其中，所述掺杂剂浓度分布包括由于所述主掺杂剂注入区域而产生的掺杂剂浓度的最大值，以及所述掺杂剂浓度分布的所述掺杂剂浓度与所述衬底的深度求导所得到的二次导数在所述另一掺杂剂注入区域周围或接近于所述另一掺杂剂注入区域的深度的第一深度范围内是负值。

13.根据权利要求12所述的半导体集成器件，

其中，所述掺杂剂浓度分布的所述掺杂剂浓度分布与所述深度的二次导数在所述第一深度范围和掺杂剂浓度的所述最大值的深度之间的第二深度范围内是正值。

14.根据权利要求1、12或13中任一项所述的半导体集成器件，

其中，所述另一掺杂剂注入区域降低所述接触结构与所述掺杂阱或所述衬底之间的漏电流。