[发明专利]垂直磁记录头及其制造方法以及磁记录装置无效
申请号: | 200710165077.4 | 申请日: | 2007-11-08 |
公开(公告)号: | CN101178902A | 公开(公告)日: | 2008-05-14 |
发明(设计)人: | 的野直人 | 申请(专利权)人: | 新科实业有限公司 |
主分类号: | G11B5/127 | 分类号: | G11B5/127;G11B5/31;G11B5/84 |
代理公司: | 广州三环专利代理有限公司 | 代理人: | 郝传鑫 |
地址: | 中国香港新界沙田香*** | 国省代码: | 中国香港;81 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 垂直 记录 及其 制造 方法 以及 装置 | ||
1.一种垂直磁记录头,其特征在于:包括
产生记录用磁场的磁极;以及
配置在记录磁轨宽度方向上的所述磁极两侧并与该磁极相分离的两个侧屏蔽板,
其中所述磁极与所述两个侧屏蔽板之间的间距是固定的并不以位置的变化而改变。
2.如权利要求1所述的垂直磁记录头,其特征在于:至少在所述磁极与所述两个侧屏蔽板之间配设有以原子层沉积方法形成的均等厚度的非磁性层。
3.如权利要求1或2所述的垂直磁记录头,其特征在于:在所述磁极的后侧配置有与该磁极分离的后屏蔽板。
4.如权利要求1至3中的任意一项所述的垂直磁记录头,其特征在于:在所述磁极的前侧配置有与该磁极分离的前屏蔽板。
5.如权利要求1至4中的任意一项所述的垂直磁记录头,其特征在于:接近空气承载面一侧的所述磁极的横截面呈倒梯形形状。
6.一种垂直磁记录头,其特征在于:包括
产生记录用磁场的磁极;
配置在记录磁轨宽度方向上的所述磁极两侧并与该磁极分离的两个侧屏蔽板;
配置在所述磁极的前侧并与该磁极分离的前屏蔽板;
配置在所述磁极的后侧并与该磁极分离的后屏蔽板,
其中所述两个侧屏蔽板与所述前屏蔽板连结,且同时与所述后屏蔽板相分离。
7.如权利要求6所述的垂直磁记录头,其特征在于:所述前屏蔽板是用于成长镀膜的电极膜;所述两个侧屏蔽板是把所述前屏蔽板作为电极膜并选择性地成长镀膜而形成的。
8.一种垂直磁记录头,其特征在于包括:
产生记录用磁场的磁极;
配置在记录磁轨宽度方向上的所述磁极两侧并与该磁极分离的两个侧屏蔽板;
配置在所述磁极的前侧并与该磁极分离的前屏蔽板;
配置在所述磁极的后侧并与该磁极分离的后屏蔽板,
其中所述磁极与所述两个侧屏蔽板之间的间距是固定的并不以位置的变化而改变,所述两个侧屏蔽板与所述前屏蔽板连结且与所述后屏蔽板相分离。
9.如权利要求8所述的垂直磁记录头,其特征在于:所述后屏蔽板在其后方通过连结用磁性体与所述磁极相连结。
10.一种磁记录装置,其包括:记录介质以及权利要求1至9中的任意一项所述的垂直磁记录头。
11.如权利要求10所述的磁记录装置,其特征在于:所述记录介质包含分别设置在所述垂直磁记录头的近侧及远侧的磁化层以及软磁性层。
12.一种垂直磁记录头的制造方法,其包括以下工序:
第一工序:在衬底上形成具有开口部的套种样式;
第二工序:形成非磁性层,并使其以均等的厚度覆盖至少在所述开口部上的所述套种样式的内壁,从而使该开口部变窄;
第三工序:形成产生记录用磁场的磁极,从而埋入所述具有非磁性层的开口部;
第四工序:除去残存的套种样式;
第五工序:在记录磁轨宽度方向的所述磁极两侧形成通过所述非磁性层与该磁极相隔开的两个侧屏蔽板。
13.如权利要求12所述的垂直磁记录头的制造方法,其特征在于:在所述第二工序中使用原子层沉积方法形成所述非磁性层。
14.如权利要求13所述的垂直磁记录头的制造方法,其特征在于:原子层沉积方法的成膜温度低于所述套种样式的玻璃转移温度。
15.如权利要求12至14中的任意一项所述的垂直磁记录头的制造方法,其特征在于:所述第三工序包括以下步骤:
(1)形成磁性层,从而至少埋入所述具有非磁性层的开口部;
(2)选择性地除去所述非磁性层及所述磁性层,直到至少露出所述套种样式。
16.如权利要求12至15中的任意一项所述的垂直磁记录头的制造方法,其特征在于:通过所述第一工序使得所述开口部随着远离所述衬底而逐渐变宽;通过所述第三工序使得靠近空气承载面一侧的所述磁极的端面呈倒梯形形状。
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