[发明专利]垂直磁记录头及其制造方法以及磁记录装置

说明书

技术领域

本发明涉及以垂直磁性记录方式进行记录处理的垂直磁记录头及其制造方法，以及装有垂直磁记录头的磁记录装置。

背景技术

近几年，随着硬盘等磁性记录介质(以下称记录介质)的面记录密度的提高，需要提高装配在硬盘驱动器等磁记录装置上的薄膜磁头的性能。作为这种薄膜磁头的记录方式，已知有把信号磁场的方向设定为记录介质的面内方向(长度方向)的纵向记录方式，把与记录介质面相交叉方向设定成信号磁场方向的垂直记录方式。在现阶段，虽然纵向记录方式被广泛利用，但考虑到面记录密度逐渐提高的市场动向，认为在今后垂直记录方式能代替纵向记录方式而更被重视。因为，这种垂直记录方式具有在线记录密度提高时已记录的记录介质不容易受到热起伏影响等优点。

垂直记录方式的薄膜磁头(以下称垂直磁记录头)具有产生记录用磁场(即垂直磁场)的磁极。使用垂直磁记录头时，由于记录介质被记录用磁场磁化，因此信息将磁性地记录在该记录介质上。

这种垂直磁记录头，目前公知的有具备在与空气承载面相交叉的方向上延伸的磁极的垂直磁记录头(例如参照专利文献1、2)。这种垂直磁记录头一般被称为“单磁极型磁头”。但是，单磁极型磁头在提高记录介质的记录密度的方面存在局限性。

作为最近常被使用的垂直磁记录头，为了抑制记录用磁头的扩散，并为了防止意外删除已记录在记录介质上的信息，在磁极的周围装载了用于收拢磁束的屏蔽板的垂直磁记录头。这种垂直磁记录头一般被称为“屏蔽型磁头”。这种屏蔽板，包括有配置在记录磁轨宽度方向上的磁极两侧的两个侧屏蔽板、配置在磁极前侧的前屏蔽板、以及配置在磁极后侧的后屏蔽板三种。作为具有这种屏蔽板的垂直磁记录头的具体结构，公知的有：只装载有侧屏蔽板的结构(例如参照专利文献3)、只装载有后屏蔽板的结构(例如参照专利文献4、5)、装载有侧屏蔽板及前屏蔽板的结构(例如参照专利文献6)、装载有侧屏蔽板及后屏蔽板的结构(例如参照专利文献7)、装载有侧屏蔽板、前屏蔽板及后屏蔽板的结构(例如，参照专利文献8、9)。

另外，最近在垂直磁记录头的制造领域中常使用膜厚控制性极佳的成膜方法，即原子层沉积方法(ALD，atomic layer deposition)(例如参照非专利文献1)。这种ALD法是可以在150℃以上的高温条件下制造出非常薄又精密的氧化膜、氢化膜或者金属膜的方法，而广泛用于对绝缘耐压等物理性质具有严格要求的制造行业中。在垂直磁记录头的制造领域中，ALD法被用在读取间隙的形成工序中(例如参照专利文献10)。

然而，在现有的屏蔽型磁头中不管是否装载有收拢磁束的屏蔽板，都不能充分抑制记录用磁场的扩散，因此存在很难防止信息被意外删除等问题。具体而言，伴随着面记录密度的飞跃增加，对防止意外删除信息的要求变得更佳严格，单单装载有屏蔽板仍无法充分抑制记录用磁场的扩散。

鉴于以上问题，本发明的目的在于提供一种垂直磁记录头及其制造方法、以及磁记录装置，从而可以防止发生由于记录用磁场扩散而导致信息被意外删除的情况。

专利文献1：日本专利申请特开2002-066710号公报

专利文献2：日本专利申请特开2002-197615号公报

专利文献3：日本专利申请特开2004-127480号公报

专利文献4：日本专利申请特开2001-250204号公报

专利文献5：欧洲专利申请公开第0360978号公报

专利文献6：美国专利第4656546号公报

专利文献7：日本专利申请特开2005-192518号公报

专利文献8：美国专利第6954340号公报

专利文献9：美国专利第7042682号公报

专利文献10：美国专利第6759081号公报

非专利文献1：“ALD原子层沉积装置”，株式会社TECHSCIENCE，网页：http://techsc.co.jp/products/mems/ALD.htm

发明内容

本发明提供的第一垂直磁记录头，包括产生记录用磁场的磁极、以及配设在记录磁轨宽度方向上的磁极两侧并与该磁极相分离的两个侧屏蔽板，其中所述磁极与所述两个侧屏蔽板之间的间距是固定的并不以位置的变化而改变。

本发明提供的第二垂直磁记录头，包括产生记录用磁场的磁极、配设在记录磁轨宽度方向上的磁极两侧并与该磁极相分离的两个侧屏蔽板、  配置在所述磁极的前侧并与该磁极分离的前屏蔽板、以及配置在所述磁极的后侧并与该磁极分离的后屏蔽板，其中所述两个侧屏蔽板与所述前屏蔽板连结，且同时与所述后屏蔽板相分离。