[发明专利]用于集成半导体结构的制造方法无效

专利信息
申请号: 200710165127.9 申请日: 2007-10-29
公开(公告)号: CN101170080A 公开(公告)日: 2008-04-30
发明(设计)人: 帝尔·施洛瑟 申请(专利权)人: 奇梦达股份公司
主分类号: H01L21/8239 分类号: H01L21/8239;H01L21/8242
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 代理人: 章社杲;吴贵明
地址: 德国*** 国省代码: 德国;DE
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摘要:
搜索关键词: 用于 集成 半导体 结构 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种用于集成半导体结构的制造方法,包括以下步骤:

在外围器件区域中形成外围电路,所述外围电路包括外围晶体管,所述外围晶体管至少部分地形成在所述半导体基板上并具有在第一高温处理步骤中形成的第一栅极绝缘体;

在存储单元区域中形成多个存储单元,每个所述存储单元包括存取晶体管,所述存取晶体管至少部分地形成在半导体基板中并具有第二栅极绝缘体,所述第二栅极绝缘体在第二高温处理步骤中形成并具有金属栅极导体;

其中,所述第一和第二高温处理步骤在形成所述金属栅极导体的步骤之前执行;

其中,在所述存储单元区域中形成栅极绝缘体之前形成所述外围部分中的栅极绝缘体,以及在所述存储单元区域中形成导电栅极材料之前形成所述外围部分中的所述栅极绝缘体。

2.根据权利要求1所述的用于集成半导体结构的制造方法,其中,所述第一高温处理步骤在所述第二高温处理步骤之前进行。

3.根据权利要求2所述的用于集成半导体结构的制造方法,其中,执行以下步骤:

在所述存储单元区域中的所述基板上形成绝缘层;

执行所述第一高温处理步骤;

在所述存储单元区域的所述绝缘层上以及在所述外围器件区域的所述第一栅极绝缘体上沉积第一多晶硅层;

在所述多晶硅层上沉积氮化物层;

在所述氮化物层上形成硬掩模;

在所述存储单元区域的所述基板上形成字线凹槽;执行所述第二高温处理步骤;并且

在所述字线凹槽中的所述第二栅极绝缘体上形成所述金属栅极导体;以及

去除所述硬掩模和所述氮化物层。

4.根据权利要求3所述的用于集成半导体结构的制造方法,进一步包括以下步骤:

在蚀刻步骤中露出所述存储单元区域中的所述存取晶体管的位线接点区域,其中,所述多晶硅层和绝缘层从所述基板上被去除;

在所述存储单元区域以及所述外围器件区域中沉积第二多晶硅层;以及

平坦化所述第一和第二多晶硅层以使它们形成平坦的共用上表面。

5.根据权利要求4所述的用于集成半导体结构的制造方法,进一步包括以下步骤:

在所述平坦的共用上表面上沉积至少一层导电层;

在所述至少一层导电层上沉积绝缘层;以及

同时构造所述第一和第二多晶硅层、所述至少一层导电层、以及所述绝缘层,以使它们形成连接至所述存储单元区域中的所述存取晶体管的位线以及所述外围器件区域中的所述外围晶体管的栅极堆叠。

6.根据权利要求1所述的用于集成半导体结构的制造方法,其中,由STI槽分隔的有源区域带在所述存储单元区域中沿第一方向形成,并且所述存取晶体管形成在所述有源区域带中。

7.根据权利要求4所述的用于集成半导体结构的制造方法,其中,利用具有线/空间图案的掩模来光刻法地限定所述位线接点区域,以暴露所述位线接点区域待被露出的部分;并且从所述基板上去除所述多晶硅层和绝缘层的所述蚀刻步骤相对于所述绝缘层来说是选择性的。

8.根据权利要求6所述的用于集成半导体结构的制造方法,其中,沿第二方向延伸的被掩埋的字线在所述存储单元区域中的所述基板上形成,所述第二方向与所述第一方向相交。

9.根据权利要求8所述的用于集成半导体结构的制造方法,其中,沿第三方向延伸的位线在所述存储单元区域中的所述基板上形成,所述第二方向和第三方向彼此垂直。

10.根据权利要求5所述的用于集成半导体结构的制造方法,其中,绝缘侧壁间隔件同时形成在所述存储单元区域中的所述位线上以及所述外围器件区域中的所述栅极堆叠上。

11.根据权利要求1所述的用于集成半导体结构的制造方法,其中,所述第一和第二高温处理步骤是在800℃至1100℃温度范围内的氧化处理步骤。

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