[发明专利]金-银合金电镀液有效
申请号: | 200710165149.5 | 申请日: | 2007-11-01 |
公开(公告)号: | CN101225536A | 公开(公告)日: | 2008-07-23 |
发明(设计)人: | 武田健三 | 申请(专利权)人: | 恩伊凯慕凯特股份有限公司 |
主分类号: | C25D3/62 | 分类号: | C25D3/62;H01H1/023 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 陈红 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 合金 电镀 | ||
技术领域
本发明涉及适合电子设备的连接零件使用的连接器等电解电镀的金-银合金电镀液。
背景技术
作为电子设备的连接零件使用的连接器等的电气接点用的零件的坯料一般是使用磷青铜或者铍等的铜系坯料。
电气接点用的零件的表面处理时广泛地使用着电镀技术,其种类大致分为贵金属电镀和贱金属电镀。
作为贱金属电镀,工业上广泛地使用锡焊性及耐腐蚀性中两方面优良的锡-铅系的锡镀(例如参照专利文献1、2)。
可是,随着铅的有害性被指出,代替锡镀使用了不含有铅的电镀。无铅的电镀,其代表的方法是在电气接点用零件的铜系坯料上实施镀镍后,接着进行锡或者锡合金的电镀。镀镍的目的是为了对电气接点用零件赋予耐磨耗性,镀锡的目的是为了提高电流的可靠性、耐腐蚀性。为了提高该电镀膜的耐腐蚀性进行了回流处理。
锡电镀时有时由于金属须的发生产生电子电路不良的情况。进而,出现接触电阻值高、耐腐蚀性低等问题。由于这样的理由,在要求高度可靠性的计算机和通讯设备用的连接器的表面处理时广泛地使用贵金属电镀代替贱金属电镀。
贵金属电镀主要是使用金电镀,金电镀与贱金属电镀比较,可以维持低的接触电阻,同时还提供高的耐腐蚀性,并具有优良的长期稳定性。
由于金电镀制造成本高,为了补偿这种经济缺点有将金电镀被膜薄膜化的倾向。
随着金镀膜的薄膜化,在电镀膜上容易产生针孔。与其对应需要对金镀膜实施封孔处理。可是实施封孔处理时,必须在电镀处理后追加新的工序,使得操作工序变得复杂。
为了取代需要进行封孔处理的金电镀,在连接器等的处理上使用了金-钴合金电镀(例如,参照专利文献3)。通过金-钴合金电镀虽然提高了坯料的耐腐蚀性,但其反面,它与纯金电镀相比较接触电阻提高了。金-钴合金电镀,在进行1μm以上厚度的电镀时,也有在电镀膜上容易产生微小裂纹的缺点。
一般,在计算机和通讯设备用的连接器等电解电镀时,是在坯料的微小部分上形成厚度0.2~2μm左右的薄膜。在连接器端子部进行电解电镀时,电流集中在端子的顶端部,容易产生镀膜粗脆所谓的烧结沉积(burnt deposits)或者镀层膜表面的不均匀的电沉积。
为了防止这些,采取了将电流密度控制在规定范围内等对策。可是,这样就需要严格地限制电镀条件,给操作方面带来了困难。
而且,近年随着电子设备的轻薄短小尺寸化,连接器等的连接负荷也被轻量化了。为此,需要对于低负荷,也具有低接触电阻值的连接器。
此外,在专利文献4中,记载了向连接器等贵金属电镀中可以与金电镀一起使用的银电镀。专利文献4所述的镀层被膜,是通过顺次电镀这些金属而形成的被膜,与后述的本发明金-银合金电镀的构成是不相同的。
【专利文献1】特开2002-69688号公报(权利要求)
【专利文献2】特许第3659323号公报(权利要求)
【专利文献3】特开昭60-155696号公报(权利要求)
【专利文献4】特开昭63-114083号公报(权利要求4)
发明内容
本发明的目的在于提供可以得到良好电镀被膜的合金电镀,它适合于电气接点用零件等的接点表面处理的、含有金的合金电镀,可以得到比现在使用的金-钴合金更接近纯金的接触电阻值,即使电气接点所负载的接触负荷低时,也可以维持高的传导率,在电镀时的大范围电流密度中,保持电镀被膜的硬度一定的同时,不会产生烧结沉积现象和不均匀电沉积。
为了解决上述问题进行了精心的研究,结果是本发明人发现通过使用将规定浓度的氰化金钾和氰化银钾溶解的电镀液进行电解电镀时,可以得到接触电阻值低的金-银合金电镀被膜。
进而,本发明人发现通过在含有氰化金钾和氰化银钾的电镀液中加入乙二胺或者其衍生物,进行电气接点用零件的电镀时,可以形成良好电镀被膜的电流密度的范围是极其广泛的。从而完成了本发明。
达到上述目的的本发明,如以下所述。
[1]一种金-银合金电镀液,其中含有以金含量计1.0~30g/L的氰化金钾和以银含量计1.0~200ppm的氰化银钾。
[2]一种电气设备的电气接点被膜形成用金-银合金的电镀液,其中含有以金含量计1.0~30g/L的氰化金钾和以银含量计1.0~200ppm的氰化银钾。
[3]上述[2]所述的电气设备的电气接点被膜形成用金-银合金电镀液,其中含有30~100g/L的焦磷酸钾、20~50g/L的硼酸。
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