[发明专利]半导体封装制造方法及半导体器件无效

专利信息
申请号: 200710165691.0 申请日: 2007-10-31
公开(公告)号: CN101174571A 公开(公告)日: 2008-05-07
发明(设计)人: 千硕杓;金炅吾 申请(专利权)人: 因特格瑞特科技有限公司
主分类号: H01L21/50 分类号: H01L21/50;H01L21/60;H01L21/56;H01L23/488;H01L21/31
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 代理人: 臧建明
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 半导体 封装 制造 方法 半导体器件
【权利要求书】:

1.一种半导体封装制造方法,包括下述步骤:

在衬底上成形金属电路图案;

将一集成电路单元连接于所述金属电路图案上;

在所述衬底、所述金属电路图案及所述集成电路单元上形成树脂;

将所述衬底移走。

2.根据权利要求1所述的半导体封装制造方法,其中,所述树脂形成在所述金属电路图案的至少一部分和所述集成电路单元的至少一部分上,以物理方式连接所述集成电路单元和所述金属电路图案。

3.根据权利要求1所述的半导体封装制造方法,其中,所述集成电路单元包括至少一个集成电路芯片。

4.根据权利要求1所述的半导体封装制造方法,其中,所述集成电路单元包括第一集成电路芯片和第二集成电路芯片,所述第一集成电路芯片采用倒装芯片方式连接到所述金属电路图案,所述第二集成电路芯片线连接于所述金属电路图案。

5.根据权利要求1所述的半导体封装制造方法,其中,进一步包括将有源器件和无源器件的至少一个连接于所述金属电路图案上的步骤。

6.一种半导体器件,包括:

一半导体封装,其包括:金属电路图案;形成于所述金属电路图案上的集成电路单元;形成于所述金属电路图案和所述集成电路单元上的树脂,以及

一母板,其包括:与所述金属电路图案电连接的封装电路线;和与所述封装电路线电连接的母板电路线。

7.根据权利要求6所述的半导体器件,其中,所述封装电路线为用来驱动半导体封装的电连接装置。

8.根据权利要求6所述的半导体器件,其中,所述树脂形成在所述金属电路图案的至少一部分和所述集成电路单元的至少一部分上,以物理方式连接所述集成电路单元和所述金属电路图案。

9.根据权利要求6所述的半导体器件,其中,所述集成电路单元包括至少一个集成电路芯片。

10.根据权利要求6所述的半导体器件,其中,所述集成电路单元包括一第一集成电路芯片和一第二集成电路芯片,所述第一集成电路芯片采用倒装芯片方式连接于所述金属电路图案,所述第二集成电路芯片线连接于所述金属电路图案。

11.一种半导体器件,包括:

一半导体封装,其包括:金属电路图案;形成于所述金属电路图案上的集成电路单元;形成于所述金属电路图案和所述集成电路单元上的树脂,

一母板,其中形成有凹槽和母板电路线,以及

一封装电路线衬底,设置在所述凹槽上,在所述封装电路线衬底上形成有封装电路线,所述封装电路线电连接于所述金属电路图案和所述母板电路线上。

12.根据权利要求11所述的半导体器件,其中,所述半导体封装包括一第一半导体封装和一第二半导体封装,其中所述第一半导体封装安装于所述封装电路线衬底的一侧边,所述第二半导体封装安装于所述封装电路线衬底的另一侧边。

13.根据权利要求11所述的半导体器件,其中,所述树脂形成在所述金属电路图案的至少一部分和所述集成电路单元的至少一部分上,以物理方式连接所述集成电路单元和所述金属电路图案。

14.根据权利要求11所述的半导体器件,其中,所述集成电路单元包括至少一个集成电路芯片。

15.根据权利要求11所述的半导体器件,其中,所述集成电路单元包括一第一集成电路芯片和一第二集成电路芯片,其中所述第一集成电路芯片线连接于所述金属电路图案上,所述第二集成电路芯片采用倒装芯片方式连接于所述金属电路图案上。

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