[发明专利]半导体器件和存储器

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一降压电路，用于生成低于电源电压的第一下降电压；以及

第二降压电路，用于生成低于所述第一下降电压的第二下降电压，

其中所述第一降压电路的耐受电压等于或高于所述电源电压，

其中所述第二降压电路的耐受电压等于或高于所述第一下降电压。

2.根据权利要求1的半导体器件，

其中所述第一降压电路包括具有第一氧化膜厚度的晶体管，以及

所述第二降压电路包括具有小于所述第一氧化膜厚度的第二氧化膜厚度的晶体管。

3.根据权利要求1的半导体器件，

其中所述第一降压电路将电压提供给外围逻辑。

4.根据权利要求1的半导体器件，

其中所述第二降压电路将电压提供给存储单元。

5.根据权利要求1的半导体器件，还包括：

开关电路，用于将从所述外部提供的电源电压或由所述第一降压电路生成的所述第一下降电压两者中选择一个并且提供给所述第二降压电路。

6.根据权利要求5的半导体器件，还包括：

与电源电压线路相连接的第一电源保护电路，以及与第一下降电压线路相连接的第二电源保护电路，

当所述电源电压被提供给所述第一降压电路时，所述第一电源保护电路被接通，并且当电源电压被提供给所述第二保护电路时，所述第二电源保护电路被接通。

7.根据权利要求1的半导体器件，

其中所述第一降压电路包括驱动器，以及用于驱动所述驱动器的电源检测电路，

所述电源检测电路包括放大器和电压调整晶体管，所述放大器包括第一晶体管和第二晶体管，其中参考电压被输入至所述第一晶体管的栅极，所述第二晶体管与第一晶体管构成差分对，所述电压调整晶体管与所述第一晶体管并联连接并且调整所述第一下降电压。

8.根据权利要求1的半导体器件，

其中所述第二降压电路包括驱动器，以及用于驱动所述驱动器的电源检测电路，

所述电源检测电路包括放大器和电压调整晶体管，所述放大器包括第一晶体管和第二晶体管，其中参考电压被输入至所述第一晶体管的栅极，所述第二晶体管与第一晶体管构成差分对，所述电压调整晶体管与所述第一晶体管并联连接并且调整所述第二下降电压。

9.根据权利要求7的半导体器件，

其中对应于多个存储体的过充信号的逻辑求和信号被输入至所述电压调整晶体管。

10.根据权利要求7的半导体器件，进一步包括：

电流调整晶体管，用于调整流至所述电压调整晶体管的电流。

11.根据权利要求7的半导体器件，包括：

第三晶体管，用于控制所述放大器的接通/关闭。

12.根据权利要求7的半导体器件，

其中所述驱动器由P沟道MOS晶体管构成，

所述半导体器件还包括强制驱动电路，用于强制地设置所述P沟道MOS晶体管的栅极电压。

13.根据权利要求1的半导体器件，

其中所述第一降压电路包括驱动器以及用于驱动所述驱动器的电源检测电路，

所述电源检测电路包括：

第一晶体管和第二晶体管，其中参考电压被输入至所述第一晶体管的栅极，所述第二晶体管与所述第一晶体管构成差分对；

接地第一电流源；

第二电流源晶体管，其连接在所述第一电流源与所述差分对之间；以及

开关晶体管，其与所述第二电流源晶体管并联连接，并且在所述第二电流源晶体管的有效和无效之间进行切换。

14.根据权利要求7的半导体器件，进一步包括：

与所述电压调整晶体管并联连接的(N-1)个晶体管，

对应于N个存储体的过充信号，它们分别被输入至所述电压调整晶体管和(N-1)个晶体管。