[发明专利]一种半导体组件及金属氧化物半导体场效应晶体管无效
| 申请号： | 200710165923.2 | 申请日： | 2007-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN101325216A | 公开（公告）日： | 2008-12-17 |
| 发明（设计）人： | 陈建良;杨文志;李启弘;庄学理 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 台湾省新竹市新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 组件 金属 氧化物 场效应 晶体管 | ||
1、一种半导体组件，其特征在于，包含：
一栅极电极，由一介电层与一半导体基板绝缘；
一源极区与一漏极区，形成在该基板上，并定义出该栅极电极下方的一沟道区；
一不连续的应力诱导层，在该源极区与该漏极区上形成。
2、根据权利要求1所述的半导体组件，其特征在于，无任何部分的该应力诱导层直接形成在该栅极电极上。
3、根据权利要求1所述的半导体组件，其特征在于，还包含至少一间隙壁，位于该栅极电极与该应力诱导层之间。
4、根据权利要求3所述的半导体组件，其特征在于，该至少一间隙壁包含一第一间隙壁和一第二间隙壁，该第一间隙壁和该第二间隙壁位于该栅极电极两侧的相对位置上。
5、根据权利要求1所述的半导体组件，其特征在于，该应力诱导层完全覆盖该源极区和该漏极区。
6、一种金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于，包含：
一NMOS晶体管；
一PMOS晶体管；以及
至少一沟道应力接触蚀刻终止层，形成在该NMOS或该PMOS晶体管的其中之一上，该沟道应力接触蚀刻终止层是不连续的。
7、根据权利要求6所述的金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于，该至少一沟道应力接触蚀刻终止层，包含在该PMOS晶体管上的一压应力接触蚀刻终止层，和在该NMOS晶体管上的一拉应力接触蚀刻终止层。
8、根据权利要求7所述的金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于，该压应力接触蚀刻终止层和该拉应力接触蚀刻终止层彼此之间不连续。
9、根据权利要求6所述的金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于，该NMOS晶体管和该PMOS晶体管各包含一部分硅化金属源极和一部分硅化金属漏极，其中属于各自的该部分硅化金属源极和漏极包含镍。
10、根据权利要求6所述的金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于，该至少一沟道应力接触蚀刻终止层的上边界低于该相关的晶体管的该栅极电极的上边界一尺寸d，该尺寸d介于该栅极电极高度的0％到95％之间。
11、根据权利要求10所述的金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于，该尺寸d大于该栅极电极高度的80％。
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