[发明专利]电容电路

权利要求书

1.一种电容电路，其特征在于，该电容电路包含：

第一电容，包含耦接至第一节点的正压端及耦接至第二节点的负压端；

第二电容，包含耦接至所述的第一节点的负压端及耦接至所述的第二节点的正压端；

第三电容，包含耦接至所述的第一节点的正压端及耦接至第三节点的负压端；

第四电容，包含耦接至所述的第一节点的负压端及耦接至所述的第三节点的正压端；

第一压差产生器，耦接所述的第二节点及第四节点，用来在该第二节点及该第四节点间提供第一压差；以及

第二压差产生器，耦接所述的第四节点及所述的第三节点，用来在该第四节点及该第三节点间提供第二压差。

2.如权利要求1所述的电容电路，其特征在于，该电容电路另包含：

第五电容，包含耦接所述的第一节点的正压端及耦接所述的第四节点的负压端；以及

第六电容，包含耦接所述的第一节点的负压端及耦接所述的第四节点的正压端。

3.如权利要求1所述的电容电路，其特征在于，至少一所述的第一压差产生器及所述的第二压差产生器是二极管或电阻。

4.如权利要求1所述的电容电路，其特征在于，至少一所述的第一压差产生器及所述的第二压差产生器包含双极结型晶体管，且该双极结型晶体管的基极与其集电极或发射极相耦接。

5.如权利要求1所述的电容电路，其特征在于，所述的第一电容、所述的第二电容、所述的第三电容以及所述的第四电容是n+掺杂于n型井的半导体金属氧化物电容。

6.如权利要求1所述的电容电路，其特征在于，至少一所述的第一压差产生器及所述的第二压差产生器包含半导体金属氧化物晶体管，且该半导体金属氧化物晶体管的栅极与其源极或漏极相耦接。

7.如权利要求1所述的电容电路，其特征在于，其另包含：

第一电流源，耦接第一电压源及所述的第二节点，用来产生第一电流以控制所述的第一压差；以及

第二电流源，耦接所述的第三节点及第二电压源，用来产生第二电流以控制所述的第二压差。

8.如权利要求1所述的电容电路，其特征在于，所述的第二节点耦接于第一电压源，且所述的第三节点耦接于第二电压源。

9.一种电容电路，其特征在于，该电容电路包含：

第一电容组、第二电容组、第三电容组、第四电容组，所述的第一电容组耦接于第一节点及第二节点，所述的第二电容组耦接于所述的第一节点及第三节点，所述的第三电容组耦接于所述的第一节点及第四节点，所述的第四电容组耦接于所述的第一节点及第五节点，其中每一电容组分别包含第一电容、第二电容、第一端及第二端，而所述的第一电容包含耦接至所述的第一端的正压端及耦接至所述的第二端的负压端，所述的第二电容包含耦接至所述的第一端的负压端及耦接至所述的第二端的正压端，每一电容组皆经由所述的第一端及所述的第二端与对应的节点相耦接；以及

第一压差产生器、第二压差产生器、第三压差产生器、第四压差产生器，所述的第一压差产生器耦接于所述的第三节点及第六节点，所述的第二压差产生器耦接于所述的第二节点及所述的第六节点，所述的第三压差产生器耦接于所述的第六节点及所述的第四节点，所述的第四压差产生器耦接于所述的第六节点及所述的第五节点，其中每一压差产生器皆包含第一端及第二端，每一压差产生器皆在所述的第一端及所述的第二端间提供对应压差，且皆经由所述的第一端以及所述的第二端与对应的节点相耦接。

10.如权利要求9所述的电容电路，其特征在于，其另包含：

第五电容组，耦接所述的第一节点及所述的第六节点，其中所述的第五电容组包含第一电容、第二电容、第一端及第二端，所述的第一电容包含耦接至所述的第一端的正压端以及耦接至所述的第二端的负压端，所述的第二电容包含耦接至所述的第一端的负压端以及耦接至所述的第二端的正压端，所述的第五电容组经由所述的第一端耦接至所述的第一节点，且经由所述的第二端耦接至所述的第六节点。

11.如权利要求9所述的电容电路，其特征在于，至少一所述的第一、第二、第三、第四压差产生器是二极管、电阻或双极结型晶体管，且该双极结型晶体管的基极与其集电极或发射极相耦接。