[发明专利]半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构包括：

隔离衬底，具有位于其上的半导体台面，所述半导体台面包括通过在其间插入的隔离区域与包括不同于第一掺杂区域的第二掺杂区域的第二端相分隔的包括所述第一掺杂区域的第一端；

第一器件，使用所述第一端的侧壁表面和顶表面作为第一沟道区域定位；以及

第二器件，使用所述第二端的侧壁表面而不是顶表面作为第二沟道区域定位，其中所述第一器件从所述半导体台面的水平顶表面晶向获益以及所述第二器件从所述半导体台面的垂直侧壁表面晶向获益。

2.根据权利要求1的半导体结构，其中配置所述第二器件以在所述第二沟道区域中沿平行于所述侧壁表面和所述顶部表面的方向传导电流。

3.根据权利要求1的半导体结构，其中所述第一器件和所述第二器件使用一个单栅极电极选通所述第一器件和所述第二器件。

4.根据权利要求1的半导体结构，还包括位于在所述第二掺杂区域之上的所述半导体台面的水平顶表面之上的沟道停止介质层。

5.根据权利要求1的半导体结构，其中：

所述隔离衬底包括半导体材料；

所述半导体台面包括硅材料和硅锗合金材料中的一种；以及

所述隔离衬底包括所述硅材料和所述硅锗合金材料中的另一种。

6.根据权利要求1的半导体结构，其中所述隔离衬底包括介质隔离材料。

7.根据权利要求1的半导体结构，其中所述隔离区域包括具有从约1E18到约1E19掺杂剂原子每立方厘米的掺杂剂浓度的半导体材料中的pn结。

8.根据权利要求1的半导体结构，其中所述隔离区域包括介质隔离材料。

9.根据权利要求1的半导体结构，其中：

所述水平顶表面晶向是{100}晶面；以及

所述垂直侧壁表面晶向是{110}晶面。

10.根据权利要求9的半导体结构，其中所述第一器件包括nFET并且所述第二器件包括pFET。

11.根据权利要求9的半导体结构，其中在所述第二器件中的沟道电流的方向为在{110}面内沿<110>方向。

12.根据权利要求1的半导体结构，还包括所述半导体台面的一端而不是所述半导体台面另一端的横向扩展。

13.根据权利要求12的半导体结构，其中所述横向扩展包括所述半导体台面的所述第一端。

14.一种半导体电路，包括权利要求1的半导体结构。

15.根据权利要求14的半导体电路，其中所述半导体结构还包括所述半导体台面的一端的横向扩展。

16.一种形成半导体结构的方法，包括以下步骤：

在隔离衬底之上形成半导体台面，所述半导体台面包括通过在其间插入定位的隔离区域与包括不同于第一掺杂区域的第二掺杂区域的第二端相分隔的包括所述第一掺杂区域的第一端；

形成使用所述第一端的侧壁表面和顶表面作为第一沟道区域定位的第一器件；以及

形成使用所述第二端的侧壁表面而不是顶表面作为第二沟道区域定位的第二器件，其中所述第一器件从所述半导体台面的水平顶表面晶向获益以及所述第二器件从所述半导体台面的垂直侧壁表面晶向获益。

17.根据权利要求16的方法，其中形成所述半导体台面使用包括半导体材料的所述隔离衬底。

18.根据权利要求16的方法，其中形成所述半导体台面使用包括介质隔离材料的所述隔离衬底。

19.根据权利要求16的方法，其中形成所述半导体台面使用包括半导体材料的所述隔离区域。

20.根据权利要求16的方法，其中形成所述隔离区域使用包括介质隔离材料的所述隔离区域。