[发明专利]电子器件及其制造方法

说明书

本发明以日本专利申请No.2006-287635为基准，其内容通过引用在这里被并入本文。

技术领域

本发明涉及一种电子器件，以及涉及一种制造该器件的方法。

背景技术

对于半导体器件的更高性能、更高质量、更小尺寸以及更低成本的无止境的需求使得不但改善半导体器件自身是非常关键的，而且覆盖器件的外壳也尤为重要。具体地，在超过20GHz的微波波段，很难既实现外壳的足够的电气性能和气密性，又实现其更小的尺寸和低装配成本，由此，期待实现由廉价树脂材料制成的、但在微波波段提供足够的使用质量及性能的外壳成为显著地扩大应用领域的真正突破。

通常，更高频率的电磁波在物质中传播时遭受更大的能量衰减。因此，在诸如BS/CS广播设备、微波通信设备或雷达设备等高频设备中，通常的处理方法是使用将半导体器件的电极以及从电极引出的引线接合部分气密地密封在真空中的外壳。为以精细的尺寸产生这样的真空部分，器件被倒装在安装基板上，其中器件的电极部分与安装基板相对。此外，已经提出整体地包括外壳和芯片的器件，以使用廉价的材料确保气密性。合成树脂膜被覆盖在已经被倒装的整个半导体器件上，并且在高温和高压下固化。

图6是在JP-A No.2005-505939中公开的电子器件的横断面视图。为了制造该电子器件，首先在倒装安装在基板101上的电子元件102的背面上层压树脂膜103。然后从电子元件102周围的封闭条形区去除树脂膜103。在该工艺中，选择条形区和电子元件102之间的间距，以便确保在其间保留层压树脂的边缘部分，从而使得树脂膜103在该位置上被连接到基板101。在随后的步骤中，配置流态化的合成树脂，以便形成树脂层104。

与本发明相关的现有技术除了JP-A No.2005-505939之外还包括JP-A No.2003-234633。

[专利文献1]JP-A No.2005-505939

[专利文献2]JP-A No.2003-234633

然而，在诸如BS/CS广播设备、微波通信设备或雷达设备等高频设备中，大多数芯片(电子元件)具有诸如0.3mm□的精细尺寸。因此，需要高度精确的微加工以从电子元件102周围的封闭条形区中去除树脂膜103，同时确保层压树脂的边缘部分保留在电子元件102的周围，如同图6中所示的电子器件的情况。

此外，在诸如BS广播设备等面向消费者的产品的情况下，年产量高达几亿件，因此，从生产效率和经济优势的角度来看，必须大量地共同执行器件的装配。部分地去除曾经层压到基板上的树脂膜需要额外的工艺以及专门的加工仪器，这引起与产量成比例的大量投资。然而，在图6示出的电子器件中，去除条形图案中的膜是必不可少的，因为否则就不能实现另外涂覆的合成树脂材料和支撑基板之间的紧密接触，这导致不能提供防止潮湿和污物的完全的密封效果。

发明内容

在一个实施例中，提供了一种电子器件，其包括：基板；安装在基板上的电子元件；以及设置在整个基板上以便覆盖电子元件的树脂膜；其中树脂膜在50摄氏度下具有等于或大于100kPa·s并且等于或小于1000kPa·s的剪切粘度，以及在50摄氏度下具有等于或大于100μm并且等于或小于1500μm的流动长度。

在另一实施例中，提供了一种制造电子器件的方法，其包括：在基板上安装电子元件；在整个基板上设置树脂膜以便覆盖电子元件；其中设置树脂膜的步骤包括使用在50摄氏度下具有等于或大于100kPa·s并且等于或小于1000kPa·s的剪切粘度、以及在50摄氏度下具有等于或大于100μm并且等于或小于1500μm的流动长度的树脂膜。

在由此构造的电子器件中，在整个基板上设置覆盖电子元件的树脂膜。这样的结构消除了为部分的去除树脂膜而执行微加工的需要。此外，树脂膜在50摄氏度下具有等于或大于100kPa·s并且等于或小于1000kPa·s的剪切粘度，以及在50摄氏度下具有等于或大于100μm并且等于或小于1500μm的流动长度。使用这种树脂支持实现优异的中空结构以及在基板和电子元件之间空间的精密的气密性。

因此，本发明提供一种电子器件，其在不引起生产效率降低的同时支持获得优异的中空结构以及基板与电子元件之间的空间的精密的气密性，以及本发明提供一种制造这样的电子器件的方法。

附图说明

结合附图以及下述对某些优选实施例的描述，本发明的上述及其它目标、优势及特性将更为明显，其中：

图1是根据本发明实施例的电子器件的横断面视图；