[发明专利]半导体集成电路器件

权利要求书

1.一种半导体集成电路器件，包括：

第一导电类型半导体衬底；

MOS晶体管，设置在所述衬底中，包括第一栅极绝缘膜；以及

MOS型电容器元件，设置在所述衬底中，所述MOS型电容器元件包括第二栅极绝缘膜、栅极电极和阱，其中所述第二栅极绝缘膜、所述栅极电极和所述阱形成电容，所述第二栅极绝缘膜的厚度薄于所述MOS晶体管的所述第一栅极绝缘膜中最薄的栅极绝缘膜。

2.根据权利要求1的半导体集成电路器件，其中所述阱是第二导电类型的阱。

3.根据权利要求1的半导体集成电路器件，其中所述MOS型电容器元件还包括第一扩散层和第二扩散层，所述第一扩散层和所述第二扩散层设置在所述阱中。

4.根据权利要求2的半导体集成电路器件，其中所述MOS型电容器元件还包括第一扩散层和第二扩散层，所述第一扩散层和所述第二扩散层设置在所述第二导电类型的阱中，位于所述栅极电极的旁边。

5.根据权利要求4的半导体集成电路器件，其中所述第一扩散层是第二导电类型的扩散层，所述第二扩散层是第二导电类型的扩散层。

6.根据权利要求3的半导体集成电路器件，其中所述栅极电极通过第一布线与第一端子连接，所述第一扩散层和所述第二扩散层分别通过第二布线和第三布线都与第二端子连接。

7.根据权利要求4的半导体集成电路器件，其中所述栅极电极通过第一布线与第一端子连接，所述第一扩散层和所述第二扩散层分别通过第二布线和第三布线都与第二端子连接。

8.根据权利要求5的半导体集成电路器件，其中所述栅极电极通过第一布线与第一端子连接，所述第一扩散层和所述第二扩散层分别通过第二布线和第三布线都与第二端子连接。