[发明专利]半导体装置、安装结构体、电光装置、及电子部件的制造方法有效

专利信息
申请号: 200710167462.2 申请日: 2007-10-25
公开(公告)号: CN101170092A 公开(公告)日: 2008-04-30
发明(设计)人: 斋藤淳 申请(专利权)人: 爱普生映像元器件有限公司
主分类号: H01L23/485 分类号: H01L23/485;H01L25/00;H01L23/488;H01L21/60
代理公司: 北京市中咨律师事务所 代理人: 陈海红;段承恩
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置 安装 结构 电光 电子 部件 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体装置,具有突起电极,该突起电极具备有:由树脂构成的突出体,形成于该突出体上的衬底层,和形成于该衬底层上的表面导电层,其特征在于,

前述衬底层以延展性比前述表面导电层低的材料所构成;

在前述突起电极的至少顶部中分散配置前述衬底层。

2.按照权利要求1所述的半导体装置,其特征在于:

前述衬底层以相对于前述突出体的紧密接合性比前述表面导电层好的材料所构成。

3.按照权利要求1或2所述的半导体装置,其特征在于:

在前述突出体的形成区域以外的区域设置基电极,前述表面导电层导电连接于该基电极。

4.按照权利要求3所述的半导体装置,其特征在于:

前述衬底层由导电性材料构成,前述表面导电层通过前述衬底层导电连接于前述基电极。

5.一种安装结构体,具备:第1电子部件,其具有突起电极,该突起电极具备有由树脂构成的突出体,形成于该突出体上的衬底层,和形成于该衬底层上的表面导电层;和第2电子部件,其具有在压塌了前述突起电极的至少顶部的状态下被导电连接的对向电极;其特征在于,

前述衬底层以延展性比前述表面导电层低的材料所构成,

在前述突起电极的至少相对于前述对向电极的接触部分与非接触部分的边界区域中分散配置前述衬底层。

6.按照权利要求5所述的安装结构体,其特征在于:

前述衬底层由导电性材料构成,前述表面导电层以相对于前述对向电极的接触电阻比前述衬底层低的材料或者耐腐蚀性比前述衬底层高的材料所构成。

7.一种电光装置,其特征在于:

具备电光面板,该电光面板安装有权利要求1~4中的任何一项所述的半导体装置。

8.一种电光装置,其特征在于:

包括权利要求5或6所述的安装结构体。

9.一种电子设备,其特征在于:

装载有权利要求7或8所述的电光装置。

10.一种具有突起电极的电子部件的制造方法,该突起电极具备有由树脂构成的突出体,形成于该突出体上的衬底层,和形成于该衬底层上的表面导电层;其特征在于,包括以下工序:

在基体上形成前述突出体的工序,

在前述突出体的表面上形成前述衬底层的工序,

在前述衬底层的表面上前述表面导电层以具有微细结构的形态形成的工序,其中,该微细结构具备有气液渗透性,和

在前述突出体上使被前述表面导电层所覆盖的前述衬底层的至少一部分区域通过渗透过前述表面导电层的前述微细结构的气体或者液体进行分散而形成的工序。

11.按照权利要求10所述的电子部件的制造方法,其特征在于:

在形成前述突出体的工序中使前述突出体的表面粗糙化,

在形成前述衬底层的工序中以具有反映了前述突出体的粗糙化了的前述表面的凹凸的表面的状态形成前述衬底层,

在形成前述表面导电层的工序中通过使前述表面导电层成膜于前述衬底层的表面凹凸上而形成前述微细结构。

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