[发明专利]半导体装置、安装结构体、电光装置、及电子部件的制造方法有效

专利信息
申请号: 200710167462.2 申请日: 2007-10-25
公开(公告)号: CN101170092A 公开(公告)日: 2008-04-30
发明(设计)人: 斋藤淳 申请(专利权)人: 爱普生映像元器件有限公司
主分类号: H01L23/485 分类号: H01L23/485;H01L25/00;H01L23/488;H01L21/60
代理公司: 北京市中咨律师事务所 代理人: 陈海红;段承恩
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置 安装 结构 电光 电子 部件 制造 方法
【说明书】:

技术领域

本发明涉及半导体装置、安装结构体、电光装置、电子设备、及电子部件的制造方法,尤其涉及设置于电子部件的突起电极的结构。

背景技术

一般地,已知在半导体装置等各种电子部件中,具备有突起设置于基体的表面上的突起电极。该突起电极,紧密接合于被安装侧的基板等从而谋求导通,一般采用通过在籽电极(シ一ド電極)上厚镀Au等金属而形成的金属突起电极。作为采用了这种突起电极的安装方法,例如,已知在各种显示体的基板上安装驱动用IC的方法。

并且,作为上述突起电极,提出采用在基板上形成树脂制的突出体,并在该突出体的表面形成有导电层这样的电极(例如,参照以下的专利文献1)。在这种的突起电极中,因为能够采用比现有的金属突起电极薄的导电层,所以可以进行精细的图形化而能够谋求电极的窄距化,并且,因为通过采用树脂制的突出体,从而可利用突出体的弹性变形可靠地得到稳定的接触压,所以有能够提高电可靠性等的优点。

【专利文献1】日本特开2005-136402号公报

可是,在前述的专利文献1中,作为形成于上述树脂制的突出体之上的导电层,采用由例如由TiW形成的第1导电层(衬底层)、和例如由Au形成的第2导电层(表面导电层)构成的叠层结构。该叠层结构,通过第1导电层确保与构成突出体的树脂的紧密接合性,并通过第2导电层确保突起电极的耐腐蚀性、导电接触性。

但是,在上述的叠层结构中,第1导电层比第2导电层延展性低,所以在安装时突起电极发生变形时第1导电层会开裂,导致在第2导电层中也产生裂纹等。因此有安装部的连接电阻变得不匀或变大,在极端情况下产生安装不良的问题点。

发明内容

于是,本发明要解决上述问题点,其目的在于:防止当突起电极的安装时由于突出体的变形而在导电层产生裂纹等的影响,谋求连接电阻的稳定化与电可靠性的提高。

鉴于该实情,本发明的半导体装置,具有突起电极,该突起电极具备由树脂构成的突出体、形成于该突出体上的衬底层、和形成于该衬底层上的表面导电层,其特征在于,前述衬底层以延展性比前述表面导电层低的材料所构成,在前述突起电极的至少顶部中分散配置前述衬底层。

依照于本发明,由于在突起电极的至少顶部中分散配置衬底层,所以当突起电极的安装时即使突起电极的顶部发生变形而衬底层也难以开裂,并且,即使开裂也减小了对上层的表面导电层的影响。从而,减小了因变形引起的表面导电层的导电性的变化,所以能够对安装部的连接电阻的不匀、增大进行抑制。

在此,衬底层的分散配置是指,不是衬底层全面覆盖突出体的表面的状态,而是形成区域或非形成区域分散配置的状态。该形成区域或者非形成区域的平均覆盖面积、覆盖面积比,优选在难以产生衬底层的开裂、而且不妨碍衬底层自身的效果的范围内适当地进行设定。

在本发明中,优选:前述衬底层以相对于前述突出体的紧密接合性比前述表面导电层好的材料所构成。不论衬底层因何理由而设置,一般都难以兼顾与对向电极之间的电特性和与构成突出体的树脂的紧密接合性,所以优选:以衬底层确保相对于突出体的紧密接合性,并通过表面导电层得到与安装对象之间的电特性。

在本发明中,优选:在前述突出体的形成区域以外的区域设置基电极,前述表面导电层导电连接于该基电极。依照于此,因为基电极与突出体设置于不同区域,所以可以容易地形成突起电极。

在该情况下,优选:前述衬底层由导电性材料构成,前述表面导电层通过前述衬底层导电连接于前述基电极。依照于此,因为通过衬底层与表面导电层的叠层结构而构成突起电极表面的导电层,所以能够进一步提高电可靠性。此时,更优选:衬底层作为基电极与表面导电层之间的扩散防止膜而起作用。

接下来,本发明的安装结构体,具备:具有突起电极的第1电子部件,该突起电极具有由树脂构成的突出体、形成于该突出体上的衬底层、和形成于该衬底层上的表面导电层;和具有对向电极的第2电子部件,该对向电极在压塌了前述突起电极的至少顶部的状态下所导电连接;其特征在于,前述衬底层以延展性比前述表面导电层低的材料所构成,在前述突起电极的至少相对于前述对向电极的接触部分与非接触部分的边界区域中分散配置前述衬底层。

依照于此,即使导电连接突起电极与对向电极而成为压塌了突起电极的顶部的状态,由于在边界区域中分散配置衬底层而减少了对表面导电层的影响,所以能够对连接电阻值的不匀、增大进行抑制。

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