[发明专利]增强空穴迁移率的器件和方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

在第一硅层之上的氧化物层；

在所述氧化物层之上的第二硅层，其中所述氧化物层在所述第一硅层与所述第二硅层之间；

在所述第一硅层上的隔离物，其中所述隔离物接触所述氧化物层、所述第一硅层和所述第二硅层；

在所述第一硅层上的渐变锗层，其中所述渐变锗层接触所述隔离物和所述第一硅层，以及其中所述渐变锗层的下部包括比所述渐变锗层的上部更高的锗浓度；

在所述第二硅层之上的n型场效应晶体管；以及

在所述渐变锗层之上的p型场效应晶体管，

其中所述氧化物层仅在所述n型场效应晶体管之下而不在所述p型场效应晶体管之下。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述渐变锗层的顶表面不含锗。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一硅层和所述第二硅层包括相同的晶体取向。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述隔离物包括间隔物、浅沟槽隔离区和场氧化物区中的一种。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括在所述渐变锗层之上的第三硅层，其中所述第三硅层在所述渐变锗层与所述p型场效应晶体管之间。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第三硅层包括应变假晶硅。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述n型场效应晶体管和所述p型场效应晶体管在同一平面上。

8.一种半导体器件，包括：

在第一硅层之上的氧化物层；

在所述氧化物层之上的第二硅层，其中所述氧化物层在所述第一硅层与所述第二硅层之间；

在所述第一硅层上的隔离物，其中所述隔离物接触所述氧化物层、所述第一硅层和所述第二硅层；

在所述第一硅层上的渐变锗层，其中所述渐变锗层接触所述隔离物和所述第一硅层而不接触所述氧化物层，以及其中所述渐变锗层的下部包括比所述渐变锗层的上部更高的锗浓度；

在所述渐变锗层之上的第三硅层；

在所述第二硅层之上的n型场效应晶体管；以及

在所述第三硅层之上的p型场效应晶体管，

其中所述氧化物层仅在所述n型场效应晶体管之下而不在所述p型场效应晶体管之下。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中所述渐变锗层的顶表面不含锗。

10.根据权利要求8所述的半导体器件，其中所述第一硅层和所述第二硅层包括相同的晶体取向。

11.根据权利要求8所述的半导体器件，其中所述隔离物包括间隔物、浅沟槽隔离区和场氧化物区中的一种。

12.根据权利要求8所述的半导体器件，其中所述第三硅层在所述渐变锗层与所述p型场效应晶体管之间，以及其中所述第三硅层包括应变假晶硅。

13.根据权利要求8所述的半导体器件，其中所述n型场效应晶体管和所述p型场效应晶体管在同一平面上。

14.一种方法，包括：

在第一硅层之上形成氧化物层；

在所述氧化物层之上形成第二硅层，使得所述氧化物层在所述第一硅层与所述第二硅层之间；

去除所述第二硅层的部分和所述氧化物层的部分以留下所述第一硅层的暴露区域；

在所述第一硅层的所述暴露区域上形成隔离物，使得所述隔离物接触所述氧化物层、所述第一硅层和所述第二硅层；

在所述第一硅层的所述暴露区域上形成渐变锗层，使得所述渐变锗层接触所述隔离物和所述第一硅层，以及使得所述渐变锗层的下部包括比所述渐变锗层的上部更高的锗浓度；

在所述第二硅层之上形成n型场效应晶体管；以及

在所述渐变锗层之上形成p型场效应晶体管，其中所述氧化物层仅在所述n型场效应晶体管之下而不在所述p型场效应晶体管之下。

15.根据权利要求14所述的方法，其中所述渐变锗层的形成包括形成所述渐变锗层使得所述渐变锗层的顶表面不含锗。

16.根据权利要求14所述的方法，其中所述第二硅层的形成包括形成所述第二硅层使得所述第二硅层和所述第一硅层包括相同的晶体取向。