[发明专利]带源极和漏极绝缘区域的单晶体管存储装置及其制造方法

权利要求书

1.一种单晶体管浮体动态随机存取存储器装置，包括：

浮体，设置在半导体基板上，该浮体包括过量载流子存储区域；

栅极电极，设置在所述浮体上；

源极和漏极区域，分别设置在所述栅极电极的两侧，每个所述源极和漏极区域都接触所述浮体；和

泄漏屏蔽图案，设置在所述浮体与所述源极和漏极区域之间。

2.根据权利要求1所述的装置，其中所述泄漏屏蔽图案设置在所述栅极电极的外侧。

3.根据权利要求1所述的装置，其中所述泄漏屏蔽图案接触所述源极和漏极区域的底部表面。

4.根据权利要求3所述的装置，其中所述浮体设置在所述源极和漏极区域之间，并且在所述泄漏屏蔽图案下横向延伸。

5.根据权利要求1所述的装置，其中所述泄漏屏蔽图案包括氧化硅层、氮化硅层和氧氮化硅层中至少之一。

6.根据权利要求1所述的装置，其中所述过量载流子存储区域的宽度大于所述栅极电极的宽度。

7.根据权利要求1所述的装置，其中所述浮体包括具有p型掺杂离子的单晶半导体层。

8.根据权利要求1所述的装置，还包括：

埋入绝缘层，设置在所述半导体基板和所述浮体之间。

9.根据权利要求1所述的装置，还包括：

定义该浮体的隔离层，所述泄漏屏蔽图案接触该隔离层。

10.根据权利要求1所述的装置，其中所述半导体基板构造成用作背栅极电极。

11.一种制造单晶体管浮体动态随机存取存储器装置的方法，包括：

在半导体基板中定义浮体，该浮体包括过量载流子存储区域；

在所述浮体上形成栅极图案；并且

在所述栅极图案两侧的所述浮体中形成泄漏屏蔽图案。

12.根据权利要求11所述的方法，其中形成所述泄漏屏蔽图案包括：

采用所述栅极图案作为掩模将氧离子注入所述浮体，以形成临时图案；并且

退火所述临时图案。

13.根据权利要求11所述的方法，其中形成所述泄漏屏蔽图案包括：

采用所述栅极图案作为掩模将锗(Ge)离子注入所述浮体中，以形成临时图案；

蚀刻所述临时图案以形成间隔；并且

用绝缘层填充所述间隔。

14.根据权利要求13所述的方法，还包括：

在所述间隔上面的所述浮体中形成源极和漏极区域。

15.根据权利要求11所述的方法，还包括：

形成与所述泄漏屏蔽图案接触的源极和漏极区域。

16.根据权利要求15所述的方法，其中所述过量载流子存储区域在所述泄漏屏蔽图案之下和所述源极和漏极区域之间延伸。

17.根据权利要求11所述的方法，其中每个所述泄漏屏蔽图案包括氧化硅层、氮化硅层和氧氮化硅层中至少之一。

18.根据权利要求11所述的方法，还包括：

在形成所述栅极图案前，在所述浮体上形成栅极介电层。

19.根据权利要求11所述的方法，其中形成所述栅极图案包括依次堆叠栅极电极、焊盘氧化物层和掩模氮化物层。

20.根据权利要求11所述的方法，其中在所述半导体基板中定义所述浮体包括形成隔离层。

21.一种单晶体管存储单元，包括：

有源半导体图案，包括依次堆叠在半导体基板上的主区域和掺杂区域，并且与所述半导体基板绝缘；

凹陷区域，通过所述掺杂区域，将所述掺杂区域分成源极区域和漏极区域，它们彼此分隔，该凹陷区域包括分别相邻于所述源极和漏极区域的第一和第二侧壁；

第一绝缘区域，设置在所述源极区域和所述主区域之间，并且与所述凹陷区域的第一侧壁分隔；

第二绝缘区域，设置在所述漏极区域和所述主区域之间，并且与所述凹陷区域的第二侧壁分隔；和

栅极电极，设置所述该凹陷区域内。

22.根据权利要求21所述的存储单元，其中所述掺杂区域的导电类型不同于所述主区域的导电类型。