[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

互连，由铜构成并且设置于互连层中；

电熔丝，由铜构成并且设置于所述互连层中，所述电熔丝和所述互连设置于所述互连层中的同一层内；以及

金属罩薄膜，仅设置于所述互连上，而不设置于所述电熔丝上。

2.如权利要求1所述的半导体器件，

其中，第一数据比率小于第二数据比率，所述第一数据比率是在所述电熔丝附近的区域中的数据比率，所述第二数据比率是在设置有所述互连的区域中的数据比率。

3.如权利要求2所述的半导体器件，

其中所述第一数据比率等于或小于5％，并且所述第二数据比率等于或大于10％。

4.如权利要求1所述的半导体器件，

其中在第一导体和所述电熔丝之间的距离大于在第二导体和所述互连之间的距离，所述第一导体设置于包括所述互连的层中并且最接近所述电熔丝，所述第二导体设置于包括所述互连的层中并且最接近所述互连。

5.如权利要求1所述的半导体器件，还包括假互连，设置于所述互连的附近。

6.如权利要求1所述的半导体器件，还包括端子，其电连接到所述电熔丝的末端，

其中所述端子设置于比所述电熔丝位置更高的层中。

7.如权利要求6所述半导体器件，

其中所述金属罩薄膜设置于所述端子上。

8.如权利要求1所述的半导体器件，

其中所述金属罩薄膜含有钴(Co)或镍(Ni)。

9.如权利要求1所述的半导体器件，

其中所述金属罩薄膜是钴钨磷(CoWP)薄膜。

10.一种用于制造半导体器件的方法，包括：

在互连层中形成互连；

在同样包括所述互连的所述互连层中形成电熔丝；以及

仅在除了所述电熔丝上以外的所述互连上形成金属罩薄膜。

11.如权利要求10所述的用于制造半导体器件的方法，

其中所述互连和所述电熔丝以相同的材料同时形成。

12.如权利要求10所述的用于制造半导体器件的方法，

其中所述形成所述金属罩薄膜的步骤包括在所述互连层的表面上进行电镀方法，所述互连和所述电熔丝暴露于所述表面上。

13.如权利要求12所述的用于制造半导体器件的方法，

其中所述电镀方法是化学镀工艺。

14.如权利要求10所述的用于制造半导体器件的方法，

其中第一数据比率小于第二数据比率，所述第一数据比率是在所述电熔丝附近的区域中的数据比率，所述第二数据比率是在设置有所述互连的区域中的数据比率。

15.如权利要求14所述的用于制造半导体器件的方法，

其中所述第一数据比率等于或小于5％，所述第二数据比率等于或大于10％。