[发明专利]半导体器件及其制造方法

说明书

本申请基于日本专利申请No.2006-291187，其全文内容通过引用并入于此。

技术领域

本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。

背景技术

图7是示出了现有的半导体器件的透视图。半导体器件100包括互连101、假互连102和电熔丝103。电熔丝103形成为互连101的一部分。互连101、假互连102和电熔丝103由铜(Cu)构成。而且，在互连101、假互连102和电熔丝103上形成金属罩薄膜104。

除此之外，国际申请的日本未审专利公布No.2005-522055、日本特开No.H09-69607(1995)和日本特开No.2005-79156公开了与本发明相关的现有技术。

由于通过以这种方式提供金属罩薄膜104提高了互连101中的电迁移(EM)的电阻(EM电阻)，所以提高了互连101的可靠性。但是，这给电熔丝103的操作带来了不利。特别是，在电熔丝103上所存在的金属罩薄膜104增加了EM电阻，导致电熔丝103难以切割。

发明内容

根据本发明的一个方面，提供一种半导体器件，包括：互连，由铜构成并且设置于互连层中；电熔丝，由铜构成并且设置于所述的互连层中，所述电熔丝和所述互连设置于所述互连层中的同一层内；以及金属罩薄膜，仅设置于所述互连上，而不设置于所述电熔丝上。

根据本发明的另一个方面，提供一种用于制造半导体器件的方法，包括：在互连层中形成互连；在还包括所述互连的所述互连层中形成电熔丝；以及仅在除了所述电熔丝上以外的所述互连上形成金属罩薄膜。

在本发明中，金属罩薄膜仅设置于互连上而不设置于电熔丝上。换句话说，在电熔丝上没有金属罩薄膜。这允许获得呈现出较强可靠性的互连，而没有降低电熔丝的断开(breaking)能力。

根据本发明，可以实现半导体器件和用于制造其的方法，这允许获得呈现出较强可靠性的互连，而没有恶化电熔丝的断开能力。

附图说明

结合附图，从以下对一些优选实施例的描述中可以明了本发明的上面和其它目的、优点和特征，其中：

图1是示出了根据本发明的半导体器件的一个实施例的截面图；

图2是示出了图1的半导体器件的其它部分的截面图；

图3是示出了电熔丝的截面图；

图4是用于描述本实施例的有利效果的图表；

图5A和5B是用于描述本发明的有利效果的平面视图；

图6A和6B是用于描述本发明的有利效果的TEM图像；

图7是示出了现有的半导体器件的透视图。

具体实施方式

现在，参考示意性实施例描述本发明。本领域技术人员将会认识到，使用本发明的教导可以实现许多可替换的实施例，并且本发明不限于用于解释目的而示出的各实施例。

参考附图来描述根据本发明的半导体器件和用于制造半导体器件的方法的优选的示意性实施方式。在所有附图中，将相同的附图标记分配给本发明的说明书中引用各图时所示出的相同的元件，并且不再重复对它们的详细描述。

图1是示出了根据本发明的半导体器件的一个实施例的截面图。半导体器件1包括互连10、电熔丝20和金属罩薄膜30。互连10和电熔丝20都由铜(Cu)构成。互连10和电熔丝20设置于互连层40内的同一层上。互连层40设置于半导体衬底例如硅衬底(未示出)上。

在电熔丝20附近的区域内的数据比率(第一比率)小于设置于互连10的区域内的数据比率(第二比率)。优选的是，第一数据比率等于或小于5％，第二数据比率等于或大于10％。这里，数据比率是占据在平行于该衬底的表面内的某个区域中的一个导体或者多个导体的面积的比率。更具体地讲，由某个区域中的一个导体或者多个导体所占的面积除以该某个区域的整个面积并乘以100，从而得到数据比率(％)。

而且，在设置于包括互连10和电熔丝20的层中并和电熔丝20最接近的一导体与所述电熔丝20之间的距离大于另一导体与所述互连10之间的距离，所述另一导体是也设置于包括该互连10和该电熔丝20的层中并和所述互连10最接近的导体。除了互连10和电熔丝20以外，上述导体包括下面所讨论的假互连50。