[发明专利]电荷泵电路有效
申请号: | 200710167829.0 | 申请日: | 2007-10-26 |
公开(公告)号: | CN101174789A | 公开(公告)日: | 2008-05-07 |
发明(设计)人: | 赖俊树;吉川定男 | 申请(专利权)人: | 三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社 |
主分类号: | H02M3/07 | 分类号: | H02M3/07 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 李香兰 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 电荷 电路 | ||
1.一种电荷泵电路,其中具备:
多个电荷传输元件,串联连接在输入端子与输出端子之间;
多个电容元件,一方的端子与所述多个电荷传输元件的连接点分别连接,另一方的端子被施加时钟信号;
降压电路,其在所述时钟信号的施加停止时,使所述输出端子的电压降压;和
降压用整流元件,其连接在所述连接点与所述输出端子之间。
2.根据权利要求1所述的电荷泵电路,其特征在于,
所述降压电路具备:
第一晶体管,其根据控制信号而导通或截止;和
第二晶体管,其与所述第一晶体管串联连接,在从所述输出端子的电压降低到规定的电压时截止。
3.根据权利要求1或2所述的电荷泵电路,其特征在于,
所述电荷传输元件由栅极与漏极连接的第一MOS晶体管构成,
所述整流元件由栅极与漏极连接的第二MOS晶体管构成。
4.根据权利要求3所述的电荷泵电路,其特征在于,
所述第二MOS晶体管的晶体管尺寸比所述第一MOS晶体管的晶体管尺寸小。
5.根据权利要求3所述的电荷泵电路,其特征在于,
所述第二MOS晶体管的寄生电容比所述电容元件的电容及所述第一MOS晶体管的寄生电容小。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社,未经三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200710167829.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:清洁刮刀及图像形成装置
- 下一篇:高倍放大变焦透镜