[发明专利]电荷泵电路有效
申请号: | 200710167829.0 | 申请日: | 2007-10-26 |
公开(公告)号: | CN101174789A | 公开(公告)日: | 2008-05-07 |
发明(设计)人: | 赖俊树;吉川定男 | 申请(专利权)人: | 三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社 |
主分类号: | H02M3/07 | 分类号: | H02M3/07 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 李香兰 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电荷 电路 | ||
技术领域
本发明涉及由低的电压产生高的电压的电荷泵电路(Charge PumpCircuit),尤其涉及一种具备降压电路的电荷泵电路。
背景技术
例如,在EEPROM(Electrically Programmable Read Only Memory)等非易失性半导体存储装置中,需要向存储器单元供给比电源电压高的正的高电压(或者负的高电压)。在这种需要高电压的情况下,广泛采用了将电荷泵电路内置于装置的方法。
图3是现有例所涉及的电荷泵电路的电路图。该电荷泵电路使输入到输入端子IN的输入电压Vin(=VCC)升压,从输出端子OUT输出高电压HV作为输出电压Vout。在输入端子IN与输出端子OUT之间串联连接有使栅极和漏极短路的N沟道型电荷传输MOS晶体管To~TM(M为任意值)。将各电荷传输MOS晶体管To~TM的连接点设为节点A~X。
各节点A~X与电容元件C1~CM一方的端子连接。电容元件C1~CM的另一方端子被交替施加第一时钟信号CLK及第二时钟信号*CLK(与第一时钟信号反相的信号)。
在上述构成中,如果输入端子IN被施加电源电压VCC,电容元件C1~CM被施加第一及第二时钟信号CLK、*CLK,则可以从最终级的MOS晶体管TM的源极(输出端子OUT)得到比输入电压VCC高的高电压HV作为输出电压Vout。如果将电荷泵电路的级数设为M,则可以由HV=(M+1)×VCC来表示。其中,忽略了电荷传输元件MOS晶体管To~TM的电压损耗。
而且,电荷泵电路的输出端子OUT与降压电路100连接。降压电路100是用于在通过使第一及第二时钟信号CLK、*CLK停止而使得电荷泵电路的升压动作结束之后,使在输出端子OUT产生的高电压(HV)降压为电源电压VCC电平的电路。
与本发明相关联的技术例如记载于以下的专利文献中。
专利文献1:特开2006-229755号公报
在上述的电荷泵电路中,如果使升压动作结束,则由于电流的路径关闭,所以,在各节点A~X中电荷会残留某一程度。该残留电荷会随着时间的流逝而被自然放电。不过,可以判断因为该残留电荷主要会引起以下两点问题。
对第一问题进行说明。在残留电荷大的情况下,难以自然放电。而且,节点A~X的残留电荷大意味着电容元件C1~CM及各电荷传输MOS晶体管To~TM产生了高电压的负载。在电荷泵电路中,由于越靠后级越升压为高的电压,所以,可以认为尤其是对后级的元件而言,高电压的负载大。因此,存在着电容元件C1~CM及各电荷传输MOS晶体管To~TM因残留电荷而劣化的问题。
对第二问题进行说明。有时存在着暂时使电荷泵电路的升压动作结束,之后立即开始动作的情况。例如发生了瞬间停电的情况等。在这种情况下,来不及发生上述自然放电,残留电荷不会向外部逃逸。于是,电荷泵电路的动作在未被初始化的不稳定状态下开始。并且,作为其结果,电荷泵电路会发生误动作,存在着无法输出所期望电平的高电压的问题。
另外,这些问题不限于上述的使输入电压升压的电荷泵电路,在对输入电压进行降压的电荷泵电路中也同样会产生。
发明内容
本发明的主要目的在于,提供一种可以解决因残留电荷而使得构成电荷泵电路的元件(电容元件或电荷传输元件)劣化的问题、及残留电荷引起的误动作的问题的电荷泵电路。
本发明是鉴于上述课题而提出的发明,其主要特征如下所述。即,本发明的电荷泵电路具备:在输入端子与输出端子之间串联连接的多个电荷传输元件;一方的端子与所述多个电荷传输元件的连接点分别连接,另一方的端子被施加时钟信号的多个电容元件;在所述时钟信号的施加停止时,使所述输出端子的电压降压的降压电路;和连接在所述连接点与所述输出端子之间的降压用整流元件。
而且,对于本发明的电荷泵电路而言,所述降压电路具备:根据控制信号而导通或截止的第一晶体管;和与所述第一晶体管串联连接,在从所述输出端子的电压降低到规定的电压时截止的第二晶体管。
(发明效果)
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