[发明专利]电路装置

说明书

技术领域

本发明涉及电路装置，特别是涉及装入了由半导体元件等大量电路元件构成的混合集成电路的电路装置。

背景技术

参照图7说明现有的混合集成电路装置100的构成(参照下记专利文献1)。在矩形的衬底101的表面，经由绝缘层102形成导电图案103，在该导电图案103的所希望的部位粘着电路元件，形成规定的电路。在此，将作为电路元件的半导体元件105A及片状元件105B与导电图案103连接。引线104与衬底101的周边部形成的由导电图案103构成的焊盘109连接，作为外部端子起作用。密封树脂108具有将衬底101的表面形成的电路密封的功能。

半导体元件105是例如1安培以上的大电流通过的功率系元件，其发热量非常大。因此，将半导体元件105A载置于导电图案103上载置的散热片110的上部。散热片110例如由长×宽×厚＝10mm×10mm×1mm程度的铜等金属片构成。通过采用散热片110，能够将半导体元件105A产生的热积极地放出到外部。另外，图中未图示，但在表面设置了多个电极的LSI作为电路元件配置在衬底101的上面。

专利文献1：特开平5-102645号公报

在上述构成的混合集成电路装置100中，在装置内部，将构成混合集成电路的全部元件配置在衬底101的上面。衬底101由放热性优良的金属构成，因此，半导体元件105A等电路元件产生的热经由衬底101良好地放出到外部。

但是，在安装于衬底101上的电路元件中，也有小信号系的半导体元件等发热极小的元件。这样的发热小的电路元件不需要安装在由放热性优良的金属构成的衬底101上。这样，在电路衬底101的上面配置不需要放热的电路元件，会存在衬底101的上面的实际的安装密度低下的问题。

另外，当在发热量极大的半导体元件105A的附近配置LSI等时，半导体元件105产生的热在热传导性优良的衬底101上传导，该热可能将LSI加热而致使其特性劣化。

发明内容

本发明就是鉴于所述问题而提出的，本发明的主要目的在于，提供一种提高了安装密度的电路装置。

本发明提供一种电路装置，其特征在于，具备：电路衬底、所述电路衬底的上面形成的导电图案、与所述导电图案电连接的电路元件、与所述电路元件电连接并导出向外部的引线，在由所述引线的一部分构成的接合部的上面安装半导体元件，使所述接合部的下面离开所述电路衬底的上面。

本发明提供一种电路装置，其特征在于，具备：电路衬底、覆盖所述电路衬底的上面的绝缘层、所述绝缘层的上面形成的导电图案、与所述导电图案电连接的电路元件、与所述电路元件电连接并导出向外部的引线，所述电路元件含有小信号系的半导体元件、和与所述小信号系的半导体元件相比有大的电流通过的大信号系的半导体元件，所述小信号系的半导体元件由所述引线的一部分构成，且安装于离开所述绝缘层的接合部的上面，所述大信号系的半导体元件安装在所述导电图案或粘着于所述导电图案上的散热片上。

根据本发明的电路装置，在由引线的一部分构成的接合部的上面安装半导体元件，使该接合部的下面离开电路衬底的上面。由此，可将发热量少且不需要安装在电路衬底上的半导体元件在装置内部配置于电路衬底的上面以外的位置，因此，能够提高装置整体的安装密度。

另外，安装于接合部且离开电路衬底配置的半导体元件与电路衬底热分离。因此，安装于电路衬底上的功率系的其它半导体元件产生的热几乎不会传导给离开电路衬底配置的半导体元件，因此，能够抑制该半导体元件的热引起的特性劣化等。

附图说明

图1是表示本发明的电路装置的图，(A)及(B)是立体图；

图2是表示本发明的电路装置的剖面图；

图3是表示本发明的电路装置的图，(A)及(B)是剖面图；

图4是表示本发明的电路装置的制造方法的图，(A)是平面图，(B)是平面图，(C)是剖面图；

图5是表示本发明的电路装置的制造方法的图，(A)是平面图，(B)是剖面图，(C)是剖面图；

图6是表示本发明的电路装置的制造方法的图，(A)是剖面图，(B)是平面图；

图7是表示现有的混合集成电路装置的剖面图。

标记说明

10            混合集成电路装置

11            电路衬底

12            绝缘层

13            导电图案

13A           焊盘

14            密封树脂