[发明专利]等离子处理装置无效
申请号: | 200710168159.4 | 申请日: | 2005-11-15 |
公开(公告)号: | CN101203086A | 公开(公告)日: | 2008-06-18 |
发明(设计)人: | 申寅澈;张圣基;金兑昱;柳炅昊;郑修然 | 申请(专利权)人: | K.C.科技股份有限公司 |
主分类号: | H05H1/24 | 分类号: | H05H1/24;H01L21/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 李香兰 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 等离子 处理 装置 | ||
1.一种等离子处理装置,其特征在于,
包括流入工序气体的气体流入部、和将通过上述气体流入部流入的工序气体利用一对上部电极和下部电极进行放电而对基板进行等离子处理的等离子源,
在所述上部电极和下部电极中的至少一个的表面形成有氧化被膜。
2.如权利要求1所述的等离子处理装置,其特征在于,
所述氧化被膜形成在下部电极的表面。
3.如权利要求1所述的等离子处理装置,其特征在于,
所述下部电极由合金构成。
4.如权利要求1所述的等离子处理装置,其特征在于,
所述下部电极是由铝、钛、镁、锌、钽中的任何一个的合金构成。
5.如权利要求1所述的等离子处理装置,其特征在于,
所述氧化被膜层是氧化铝、氧化钛、氧化镁、氧化锌、氧化钽中的任何一个。
6.如权利要求1所述的等离子处理装置,其特征在于,
所述氧化被膜利用阳极氧化被膜形成法形成。
7.如权利要求1所述的等离子处理装置,其特征在于,
所述上部电极在流入的上述工序气体中露出上表面整体。
8.如权利要求7所述的等离子处理装置,其特征在于,
所述上部电极通过所述工序气体和上部电极之间的热交换而冷却。
9.如权利要求1所述的等离子处理装置,其特征在于,
所述工序气体的流量与所述基板的面积成比例
10.如权利要求1所述的等离子处理装置,其特征在于,
所述等离子源对应所述基板的大小而在所述基板上方设置多个。
11.如权利要求1所述的等离子处理装置,其特征在于,
所述等离子源沿着所述基板的前进方向设置多个。
12.如权利要求1所述的等离子处理装置,其特征在于,
还设置有向所述等离子源供给电源的电源供给装置。
13.如权利要求12所述的等离子处理装置,其特征在于,
所述电源供给装置还具备生成高电压的功率变换器。
14.如权利要求13所述的等离子处理装置,其特征在于,
所述功率变换器与所述等离子源形成为一体。
15.如权利要求14所述的等离子处理装置,其特征在于,
形成为一体的所述功率变换器和所述等离子源通过电子波屏蔽物质与外部隔离。
16.如权利要求14所述的等离子处理装置,其特征在于,
连接形成为一体的所述功率变换器和所述等离子源的线是高压线,而控制所述功率变换器和所述等离子源的控制板则通过电源线连接。
17.如权利要求16所述的等离子处理装置,其特征在于,
所述电源线被电子波屏蔽物质缠绕而与外部隔离
18.如权利要求1所述的等离子处理装置,其特征在于,还包括:
调节所述基板上和等离子源的间隔的高度调节部;
驱动所述高度调节部的驱动部;和
控制所述驱动部的主控制部。
19.如权利要求18所述的等离子处理装置,其特征在于,
所述高度调节部包括:
通过所述驱动部的打开/关闭而被驱动的两侧的一对气缸、
将通过所述一对气缸传达的水平方向能量转换为垂直方向能量的位于两侧的一对楔块、
通过利用通过所述一对楔块转换的能量而将被安置的所述等离子源上升到规定的高度的位于两侧的一对装载部、和
保持所述一对气缸对所述一对楔块施加的力相同的连接部。
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