[发明专利]等离子处理装置

说明书

本申请是申请号：200510125306.0、申请日2005年11月15日：、发明名称“等离子电极构造、等离子源及利用它的等离子处理装置”的专利申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及等离子(plasma)处理装置，更具体来说，涉及可提高等离子密度的均匀性，并可适用于最近基板大型化的趋势的等离子电极构造及其电极制造方法、电极冷却方法。

另外，涉及利用上述等离子电极构造的等离子源及等离子处理装置、以及其控制方法。

背景技术

一般，生产TFT LCD、PDP、OLED等FPD及半导体元件等的过程中必然经过基板的清洗工序。

以往的基板的清洗工序使用了湿式工序，但最近，多使用作为干式清洁技术的等离子技术。

图1是表示利用一般的等离子源130的清洗装置100的图面。

如图1所示，利用等离子源130的清洗装置100由等离子源130、电源供给装置140、气体供给装置120、和移送装置160构成，所述等离子源130向清洗对象即LCD玻璃(glass)150的表面喷射氧基，所述电源供给装置140向上述等离子源130施加交流电压，所述气体供给装置120通过与上述等离子源130连接的配管供给氮气、氧气、空气等气体，所述移送装置160在等离子源130实施等离子常压放电时将LCD玻璃150以一定的速度向一方向移送。

如果观察这样的清洗装置100中的清洗过程，则可知如下所述地实现清洗，即：形成在LCD玻璃150的下部的移送装置160将清洗对象即LCD玻璃150以一定的速度向一方向移送，而此时形成在上部的等离子源130向LCD玻璃150的表面实施等离子常压放电。

此时，在上述清洗装置100中，上述等离子源130和向其供给电源的电源供给装置140通过高压线连接。

此时，电源供给装置140产生的电压是峰值为1kv～40kv左右的高压，而且由于高压线露出在外部环境，因此，经常由于露出而存在电安全事故的危险。

另外，在内置方式的工序中，经常发生非等离子源130的异常的气体装置的异常、或由于工序上的原因临时中断LCD玻璃150的移送的情况，而此时不仅需要停止移送装置160，而且不得不关闭等离子源130。

如果根据这样的需要，关闭等离子源130，则一旦关闭后打开需要稳定化时间，另外，存在发挥本身性能之前需要数分钟的时间上的损失，费用上的损失。

图2a至图2d是表示图1中图示的等离子源200的图面。

图2a是等离子源200的俯视图，图2b是图2a中图示的等离子源200的示意侧面剖视图。

如图2a及图2b所示，以往的等离子源200在两侧面具有从气体供给装置供给气体的气体供给端口200a、200b、200c、200d、200e、200f、200g、200h总共8个。

另外，通过总共8个气体供给端口200a、200b、200c、200d、200e、200f、200g、200h流入的气体填满等离子源200的主体，而其上部具有气体分配器(gas distributor)210，使上述流入的气体在等离子源内部分布均匀。

另外，在气体分配器210的下部具有通过电介质的充电及放电而产生等离子的上/下部电介质220、230。

另外，为了在上/下部电介质220、230上施加交流电压，在上部电介质220上及下部电介质230的下部面分别形成上部电极(未图示)、和下部电极(未图示)。

如果观察这样构成的等离子源200中的被流入的气体的流动路径及基板清洗过程，则如下所述。

即，首先通过总共8个的气体供给端口流入的气体暂时填满等离子源主体的上部缓冲层240，之后，储存于上部缓冲层240的气体通过形成在气体分配器210的中央的第1气体流入口211、212流入到下部缓冲层250。

之后，流入到下部缓冲层250的气体通过形成在上部电介质220的两侧面的第2气体流入口221、222流入到隔壁电介质空间260而产生等离子，而产生的等离子通过形成在下部电介质上的流出口231被喷射，而清洗LCD玻璃270上的有机物280。

此时，实际上为形成气体密度的均匀性而作为缓冲区域发挥缓冲层的作用的，只不过为下部缓冲层250，流入到隔壁电介质空间260的气体的密度反而相比只存在一个缓冲层时下降，存在气体流动的移动上发生湍流(turbulent flow)的问题。

图2c是对图2b中图示的等离子源200中的电极构造详细显示的剖视图。