[发明专利]电平变换电路

说明书

相关的申请的相互参照

本申请基于在2006年11月9日提交的在先的日本专利申请第2006-304393号并要求其优先权，此处引入其全部内容作为参考。

技术领域

本发明涉及电平变换电路，例如应用于半导体电路的电平变换电路等。

背景技术

以前，例如应用于半导体电路的电平变换电路等是只具有正侧的电平变换部的结构。因此，以前的电平变换电路对于输入信号只能进行正侧的输出电平的电平变换，负侧的输出电平是接地电压(VSSL)。因此，存在电平变换电路的输出电压差小的倾向。

再者，以前的电平变换电路是对输出晶体管的电流路径间恒定地施加正负的最大输出电位差(高电源电压VDDH-接地电压VSSL)的结构。因此，在利用与构成电平变换部等的其它的晶体管为同一的制造工艺形成输出晶体管的情况下，不能得到比晶体管的电流路径间的耐压大的输出振幅。这是由于输出晶体管的电流路径间的耐压是由制造工艺决定的。

另一方面，为了进行大振幅输出电压变换，有必要只使输出晶体管成为高耐压的晶体管，以便耐受对上述输出晶体管施加的大振幅的输出电压。但是，在这样的情况下，由于另外发生只使输出晶体管成为高耐压的晶体管的制造工艺，故制造工序增加，制造成本增大。

如上所述，以前的电平变换电路存在若打算提高输出电压差就对构成输出的晶体管施加耐压以上的过电压的倾向。

作为与本申请有关的文献，例如有以下的特开平11-88147号公报。在该特开平11-88147号公报中，记载了通过降低对所使用的MOS晶体管施加的电压而不需要耐压高的MOS晶体管的例子。

发明内容

与本发明的一个形态有关的电平变换电路包括：高电位侧电平变换部，连接在第1高电压电源与第1低电压电源之间，变换输入信号的高电位侧的电压；低电位侧电平变换部，连接在电压比上述第1高电压电源低的第2高电压电源与电压比上述第1低电压电源低的第2低电压电源之间，变换输入信号的低电位侧的电压；以及输出部，被输入上述高电位侧电平变换部的输出和上述低电位侧电平变换部的输出，输出上述第1高电压电源的电压电平和上述第2低电压电源的电压电平。

与本发明的一个形态有关的电平变换电路包括：高电位侧电平变换部，连接在第1高电压电源与第1低电压电源之间，变换输入信号的高电位侧的电压；低电位侧电平变换部，连接在电压比上述第1高电压电源低的第2高电压电源与电压比上述第1低电压电源低的第2低电压电源之间，变换输入信号的低电位侧的电压；第1负载减轻部，根据上述高电位侧电平变换部的输出，输出上述第1高电压电源的电压电平或上述第1低电压电源的电压电平；第2负载减轻部，根据上述低电位侧电平变换部的输出，输出上述第2高电压电源的电压电平或上述第2低电压电源的电压电平；以及输出部，被输入上述第1负载减轻部的输出和上述第2负载减轻部的输出，输出上述第1高电压电源的电压电平和上述第2低电压电源的电压电平。

附图说明

图1是表示与本发明的第1实施方式有关的电平变换电路的电路图；

图2是表示与第1实施方式有关的电平变换电路的工作的工作波形图；

图3是表示与本发明的第2实施方式有关的电平变换电路的电路图；

图4是表示与第2实施方式有关的电平变换电路的工作的工作波形图；

图5是表示与本发明的第3实施方式有关的电平变换电路的电路图；

图6是表示与第3实施方式有关的电平变换电路的工作的工作波形图；

图7是表示与比较例有关的电平变换电路的电路图；以及

图8是表示与比较例有关的电平变换电路的工作的工作波形图。

具体实施方式

以下，参照附图说明本发明的实施方式。此外，在该说明中，对于在全部的图中共同的部分附以共同的参照符号。

[第1实施方式]

首先，使用图1和图2说明与本发明的第1实施方式有关的电平变换电路。图1是表示与本实施方式有关的电平变换电路的电路图。

<结构例>

首先，使用图1说明与本实施方式有关的电平变换电路的结构例。

如图示那样，与本实施方式有关的电平变换电路具备输入部10、负侧电平变换部11、正侧电平变换部12和输出部13。

输入部10具备P型MOS晶体管QP11和N型MOS晶体管QN11，利用以低电压电源VDDL工作的倒相器IV11来构成。