[发明专利]二元光学元件掩模的制作方法无效
| 申请号： | 200710170463.2 | 申请日： | 2007-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN101158806A | 公开（公告）日： | 2008-04-09 |
| 发明（设计）人： | 王多书;叶自煜;刘宏开;罗崇泰;陈焘;李锦磊 | 申请（专利权）人： | 中国航天科技集团公司第五研究院第五一○研究所 |
| 主分类号： | G03F1/08 | 分类号： | G03F1/08;G03F1/00 |
| 代理公司： | 上海蓝迪专利事务所 | 代理人： | 徐筱梅 |
| 地址： | 73003*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 二元 光学 元件 制作方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种二元光学元件掩模的制作方法，其特征在于它包括下列步骤：
a、铬版制作
选用石英玻璃作基板，对其表面镀铬膜，形成铬版；
b、激光加热氧化
按掩模设计数据编制加热氧化程序，用此程序控制激光直写设备，对铬版实现激光定位定量加热氧化；
c、化学腐蚀
采用K3Fe(CN)6/NaOH混合溶液对激光加热氧化后的铬版进行腐蚀，形成掩模。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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