[发明专利]二元光学元件掩模的制作方法无效
申请号: | 200710170463.2 | 申请日: | 2007-11-15 |
公开(公告)号: | CN101158806A | 公开(公告)日: | 2008-04-09 |
发明(设计)人: | 王多书;叶自煜;刘宏开;罗崇泰;陈焘;李锦磊 | 申请(专利权)人: | 中国航天科技集团公司第五研究院第五一○研究所 |
主分类号: | G03F1/08 | 分类号: | G03F1/08;G03F1/00 |
代理公司: | 上海蓝迪专利事务所 | 代理人: | 徐筱梅 |
地址: | 73003*** | 国省代码: | 甘肃;62 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 二元 光学 元件 制作方法 | ||
技术领域
本发明涉及光学技术领域,具体地说是一种二元光学元件掩模的制作方法。
背景技术
在衍射光学元件制作技术的发展过程中,二元光学元件以其制作过程容易、衍射效率较高等优势,得到了较快的发展。二元光学元件的制作得益于半导体器件的加工工艺,通过制作类似浮雕的台阶状微结构来近似连续衍射微结构;其方法主要依靠曝光设备,在掩模的作用下对涂有光刻胶的二元光学元件基片进行选择曝光,显影后通过刻蚀方法实现台阶的制作,因此掩模制作质量是二元光学元件制作成败的关键技术之一。
二元光学元件掩模的制作主要有全息记录法、灰阶掩模法等,全息记录法发展比较完善,但在制作超精细结构方面仍面临困难,且计算全息图和相息图的衍射效率不高;灰阶掩模法尽管具有设备简单、成本低和生产周期短的特点,但其灰阶掩模版的加工精度不高,制约了该方法的发展。
发明内容
本发明的目的是针对现有技术的不足而提供的一种二元光学元件掩模的制作方法,它采用激光直写法,具有设备简单、制作周期短、费用低、制作精度高的特点。
实现本发明目的的具体技术方案是:
一种二元光学元件掩模的制作方法,它包括下列步骤:
a、铬版制作
选用石英玻璃作基板,对其表面镀铬膜,形成铬版;
b、激光加热氧化
按掩模设计数据编制激光加热氧化程序,用此程序控制激光直写设备,对铬版实现定位定量加热氧化;
c、化学腐蚀
采用K3Fe(CN)6/NaOH混合溶液对激光加热氧化后的铬版进行腐蚀,形成掩模。
本发明与现有技术相比的有益效果是:
(1)本发明整个过程自动化控制,工艺稳定,重复性好,操作简便,产品合格率高。
(2)本发明由于采用激光刻写工艺,提高了掩模制作精度和衍射效率。
具体实施方式
本发明采用极坐标激光直写设备进行。
实施例
(1)铬版制作
选用双面抛光的石英玻璃基板,在基板表面镀铬膜,形成铬版。
(2)激光加热氧化
按掩模设计数据编制激光加热氧化程序,用此程序控制激光直写设备。将铬版置于激光直写设备旋转台上,在旋转台旋转情况下,激光直写头沿径向移动,对铬版实施激光定位定量加热氧化。
(3)化学腐蚀
将激光加热氧化后的铬版放入K3Fe(CN)6/NaOH混合溶液中腐蚀,腐蚀后,铬版经激光加热氧化部位形成氧化铬,在K3Fe(CN)6/NaOH混合溶液中不被溶解,而未经激光加热氧化部位在K3Fe(CN)6/NaOH溶液中被溶解,铬版掩模形成。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国航天科技集团公司第五研究院第五一○研究所,未经中国航天科技集团公司第五研究院第五一○研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200710170463.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:接口调度方法及接口调度装置
- 下一篇:适用于V型六缸发动机的冷却水泵
- 同类专利
- 专利分类
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备