[发明专利]三维神经微电极的制作方法

权利要求书

1.一种三维神经微电极的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一，清洗硅片，以硅片作为衬底，采用等离子化学汽相淀积方法在硅片的一面生长底层SiO₂；

步骤二，在底层SiO₂上依次溅射金属钛和金，形成金属合金层，并刻蚀出金属互连线、压焊点和接触圆点；

步骤三，在金属合金层上采用等离子化学汽相淀积方法生长顶层SiO₂，顶层SiO₂绝缘金属合金层，并采用缓冲的HF酸溶液刻蚀顶层SiO₂，暴露出压焊点和接触圆点，并采用光刻胶填充压焊点；

步骤四，在接触圆点上旋涂SU-8胶，并通过光刻与刻蚀工艺，形成圆柱形孔，圆柱形孔侧壁为SU-8胶，并采用光刻胶填充压焊点；

步骤五，在圆柱形孔中电镀生长金属，最终形成金属圆柱，采用显影方式去除压焊点中的光刻胶，暴露出压焊点；

步骤六，对上述步骤得到的电极进行清洗，得到三维神经微电极。

2.根据权利要求1的三维神经微电极的制作方法，其特征是，步骤一中，所述硅片，为N型或P型单晶硅。

3.根据权利要求1的三维神经微电极的制作方法，其特征是，步骤四中，所述光刻，为近紫外光光刻。

4.根据权利要求1的三维神经微电极的制作方法，其特征是，步骤四中，所述圆柱形孔，其高度为100μm-1mm。

5.根据权利要求1的三维神经微电极的制作方法，其特征是，步骤五中，所述电镀，分别以外部电镀金属板和接触圆点作为阳极与阴极。

6.根据权利要求1或5的三维神经微电极的制作方法，其特征是，所述电镀，是指先电镀铜，后电镀金。

7.根据权利要求1的三维神经微电极的制作方法，其特征是，步骤六中，所述清洗，是指采用去离子水进行清洗。