[发明专利]液晶显示面板中的阵列基板及其制造方法

权利要求书

1.一种液晶显示面板中的阵列基板，其特征在于，该阵列基板包括：

一玻璃基板；

形成于该玻璃基板上的一薄膜晶体管的栅电极、扫描线、公共电极线；

形成于该栅电极上的一第一绝缘膜；

形成于该第一绝缘膜上的一有源层；

形成于该有源层上的一薄膜晶体管的漏电极和源电极；

覆盖上述扫描线、公共电极线、薄膜晶体管的漏电极和源电极的一第二绝缘膜；

形成于该二绝缘膜上且和该扫描线接触连接的氧化物导电层；

形成于该第二绝缘膜上且和该源电极接触连接的像素电极。

2.一种液晶显示面板中的阵列基板，其特征在于，该阵列基板包括：

一玻璃基板；

形成于该玻璃基板上的一薄膜晶体管的栅电极、扫描线、公共电极线；

形成于该栅电极、扫描线、公共电极线上的一第一绝缘膜，在该扫描线、公共电极线上的该第一绝缘膜的厚度小于在该栅电极上的第一绝缘膜的厚度；

形成于该第一绝缘膜上的一有源层；

形成于该有源层上的一薄膜晶体管的漏电极和源电极；

覆盖上述扫描线、公共电极线、薄膜晶体管的漏电极和源电极的一第二绝缘膜；

形成于该二绝缘膜上且和该扫描线接触连接的氧化物导电层；

形成于该第二绝缘膜上且和该源电极接触连接的像素电极。

3.如权利要求1或2所述的液晶显示面板中的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管的栅电极、扫描线、公共电极线的材料为AlNd，AI，Cu，MO，MoW或Cr的一种或者为AlNd，AI，Cu，MO，MoW或Cr之一或任意组合所构成的复合。

4.如权利要求1或2所述的液晶显示面板中的阵列基板，其特征在于，所述第一绝缘膜、第二绝缘膜材料为SiO2，SiNx或SiOxNy材料之一或任意组合所构成的复合。

5.如权利要求1或2所述的液晶显示面板中的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管的漏电极和源电极材料为Mo，MoW或Cr的一种或者为Mo，MoW或Cr之一或任意组合所构成的复合。

6.如权利要求1或2所述的液晶显示面板中的阵列基板，其特征在于，所述氧化物导电层为透明导电层，该氧化物导电层使用的材料为铟锡氧化物或铟锌氧化物。

7.一种液晶显示面板中的阵列基板的制造方法，其特征在于，其包括以下步骤：

首先提供一玻璃基板；

然后在该玻璃基板上淀积第一金属层，使用第一掩模版曝光、显影和刻蚀形成第一金属层图形--薄膜晶体管的栅电极、扫描线、公共电极线；

接着在完成上述的阵列基板上淀积第一绝缘膜和一有源层，溅射第二金属层和涂布光刻胶，使用第二掩模版灰度曝光，使光刻胶分为被曝光、部分被曝光、全部被曝光三部分，接着显影和刻蚀，首先形成第二金属层图形和晶体管岛的形状，接着灰化光刻胶，刻蚀晶体管沟道形成沟道图形形成薄膜晶体管的漏电极和源电极，接着刻蚀该第一绝缘膜；

接着在完成上述的阵列基板上淀积第二绝缘膜，使用第三掩模版曝光、显影和刻蚀形成第一金属层图形和第二金属层图形上的接触孔，接着溅射一氧化物导电层；

最后使用第四掩模版曝光、显影和刻蚀形成一氧化物导电层图形和一像素电极。

8.如权利要求7所述的液晶显示面板中的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述刻蚀第一绝缘膜的步骤将薄膜晶体管的漏电极和源电极以外的第一绝缘膜全部被刻蚀掉。

9.如权利要求7所述的液晶显示面板中的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述刻蚀第一绝缘膜的步骤将位于扫描线、公共电极线上的第一绝缘膜部分刻蚀使该扫描线、公共电极线上的第一绝缘膜的厚度小于在该栅电极上的第一绝缘膜的厚度。