[发明专利]一种检测通孔阻挡层是否穿透的方法无效
| 申请号： | 200710172034.9 | 申请日： | 2007-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN101459097A | 公开（公告）日： | 2009-06-17 |
| 发明（设计）人： | 沈满华;周鸣;赵林林;孙武 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 王 洁 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 检测 阻挡 是否 穿透 方法 | ||
【权利要求书】：
1、一种检测通孔阻挡层是否穿透的方法，其特征在于，该方法使用关键尺寸扫描电子显微镜检测通孔阻挡层是否穿透，其包括：
所述电子显微镜扫描所述通孔上方的步骤，该步骤透过通孔得到通孔底部的顶视图；
量测通孔关键尺寸的步骤，该步骤通过上述顶视图量测通孔的关键尺寸；
判断通孔阻挡层是否穿透的步骤，该步骤判断通孔的阻挡层是否穿透。
2、如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述电子显微镜扫描通孔上方的步骤前还包括使硅片的表面带电荷的步骤。
3、如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述使硅片的表面带电荷的步骤中使用600-1000V的电压，持续3-8秒。
4、如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述使硅片的表面带电荷的步骤中使用800V的电压，持续5秒。
5、如权利要求1或2或3所述的方法，其特征在于，判断通孔阻挡层是否穿透的步骤为通孔的关键尺寸定一个目标值，当量测得到的通孔关键尺寸超出上述目标值时，判断为通孔阻挡层被穿透。
6、如权利要求1或2或3所述的方法，其特征在于，所述电子显微镜扫描通孔上方的步骤中得到若干个通孔顶视图的照片。
7、如权利要求1或2或3所述的方法，其特征在于，所述通孔为孤立通孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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