[发明专利]一种检测通孔阻挡层是否穿透的方法

说明书

技术领域

本发明属于芯片制造领域，涉及硅片检测工艺，尤其涉及一种检测通孔阻挡层是否穿透的方法。

背景技术

刻蚀工艺的最后一步是进行刻蚀检查以确保刻蚀质量。这种检查通常是在有图形的硅片上刻蚀和去胶全部完成以后进行的，传统的方法是用白光或紫外光手动显微镜来检查缺陷，如检查污点和大的颗粒沾污。手动显微镜已大量被自动检测系统所取代，特别是对有深亚微米图形的关键层的检查。先进的测量仪器能够自动检测带图形骨片的图形缺陷和变形。

其中，很重要的检查之一是对通孔(VIA)阻挡层(stop layer)的检查，检测其是否被穿透，以确保硅片的质量。若通孔的阻挡层没有足够的厚度保护其底部的金属层，金属层将很容易被破坏。

现有的对阻挡层的检测方法通常是用FIB-TEM(聚焦离子束-透射电子显微镜)检测；检测时，需要把硅片对通孔做横向切割，使检测过程过于繁琐。且这种方法只对小部分硅片做检测，一方面破坏了一部分硅片，另一方面检测的正确性不够精确。

发明内容

本发明的目的是提供一种简便易行、用于检测通孔阻挡层是否穿透的方法。

为了实现上述目的，本发明提供一种检测通孔阻挡层是否穿透的方法，该方法使用关键尺寸扫描电子显微镜检测通孔阻挡层是否穿透，其包括：所述电子显微镜扫描所述通孔上方的步骤，该步骤透过通孔得到通孔底部的顶视图；量测通孔关键尺寸的步骤，该步骤通过上述顶视图量测通孔的关键尺寸；判断通孔阻挡层是否穿透的步骤，该步骤判断通孔的阻挡层是否穿透。

作为本发明的一种优选方案，所述电子显微镜扫描通孔上方的步骤前还包括使硅片的表面带电荷的步骤。

作为本发明的一种优选方案，所述使硅片的表面带电荷的步骤中使用600-1000V的电压，持续3-8秒。

作为本发明的一种优选方案，所述使硅片的表面带电荷的步骤中使用800V的电压，持续5秒。

作为本发明的一种优选方案，判断通孔阻挡层是否穿透的步骤为通孔的关键尺寸定一个目标值，当量测得到的通孔关键尺寸超出上述目标值时，判断为通孔阻挡层被穿透。

作为本发明的一种优选方案，所述电子显微镜扫描通孔上方的步骤中得到若干个通孔顶视图的照片。

作为本发明的一种优选方案，所述通孔为孤立通孔。

与现有技术相比，本发明揭示的用于检测通孔阻挡层是否穿透的方法，用关键尺寸扫描电子显微镜检测通孔的关键尺寸，无需切割硅片，在简化检测步骤的同时缩短了检测时间；同时可以对每一个硅片检测，提高判断的正确率。

附图说明

图1本发明检测通孔阻挡层是否穿透方法的流程图。

具体实施方式

以下结合附图及实施例对本发明做具体介绍。

实施例一

请参阅图1，本发明介绍了一种检测通孔阻挡层是否穿透的方法，所述通孔为孤立通孔，该方法使用关键尺寸扫描电子显微镜检测通孔阻挡层是否穿透，其包括：

(1)使硅片的表面带电荷的步骤。该步骤中使用800V的电压，持续5秒。当然，也可以使用600-1000V的电压，持续3-8秒。

(2)所述电子显微镜扫描所述通孔上方的步骤，该步骤透过通孔得到通孔底部的顶视图；该步骤中得到若干个通孔顶视图的照片，通过增加照片数量提高判断的精确度。

(3)量测通孔关键尺寸的步骤，该步骤通过上述顶视图量测通孔的关键尺寸。

(4)判断通孔阻挡层是否穿透的步骤，该步骤判断通孔的阻挡层是否穿透。该步骤为通孔的关键尺寸定一个目标值，当量测得到的通孔关键尺寸超出上述目标值时，判断为通孔阻挡层被穿透。

本发明通过用关键尺寸扫描电子显微镜检测通孔的关键尺寸，无需切割硅片，在简化检测步骤的同时缩短了检测时间；同时可以对每一个硅片检测，提高判断的正确率。

以上实施例仅用以说明而非限制本发明的技术方案。不脱离本发明精神和范围的任何修改或局部替换，均应涵盖在本发明的权利要求范围当中。