[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200710173735.4 申请日: 2008-04-15
公开(公告)号: CN101236953A 公开(公告)日: 2008-08-06
发明(设计)人: 李喜峰;李俊峰 申请(专利权)人: 上海广电光电子有限公司
主分类号: H01L23/522 分类号: H01L23/522;H01L27/12;H01L21/768;H01L21/84;G02F1/1362
代理公司: 上海申汇专利代理有限公司 代理人: 白璧华
地址: 200233上*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 薄膜晶体管 阵列 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种薄膜晶体管阵列基板,在绝缘基板上依次形成有扫描配线导电层、绝缘层、数据导电层、钝化绝缘层及透明导电层,所述扫描配线导电层上形成有扫描配线和共通电极线,所述绝缘层包括栅绝缘膜,其特征在于,所述扫描配线至少部分裸露与之上数据导电层直接电接触。

2.一种薄膜晶体管基板的制造方法,包括扫描配线导电层、绝缘层、数据导电层、钝化绝缘层及透明导电层五道掩膜工艺,所述的绝缘层制造方法中采用包括多灰色调区,灰色调区,透光区图案的多灰阶掩膜基板,其特征在于该方法包括如下步骤:

(a)在绝缘基板上形成扫描配线导电层,所述扫描配线导电层包括扫描配线和共通电极线;

(b)在所述扫描配线导电层上沉积绝缘层,所述绝缘层包括栅绝缘膜,涂布光刻胶,利用所述多灰阶掩膜基板进行曝光显影,所述透光区和扫描配线导电层上的扫描配线相对齐,所述灰色调区和扫描配线导电层上的共通电极线相对齐;

(c)通过干刻将未受光刻胶保护的栅绝缘膜刻掉,从而使所述扫描配线裸露,而受光刻胶保护的栅绝缘膜则完全覆盖住所述共通电极线,接着去除光刻胶,形成最终的绝缘层;

(d)在所述绝缘层上形成数据导电层,所述数据导电层与所述裸露扫描配线直接电接触,形成双层导电层配线;

(e)在所述数据导电层上形成钝化绝缘层;

(f)在所述钝化绝缘层上形成透明导电层。

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