[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200710173735.4 申请日: 2008-04-15
公开(公告)号: CN101236953A 公开(公告)日: 2008-08-06
发明(设计)人: 李喜峰;李俊峰 申请(专利权)人: 上海广电光电子有限公司
主分类号: H01L23/522 分类号: H01L23/522;H01L27/12;H01L21/768;H01L21/84;G02F1/1362
代理公司: 上海申汇专利代理有限公司 代理人: 白璧华
地址: 200233上*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 薄膜晶体管 阵列 及其 制造 方法
【说明书】:

技术领域

本发明涉及一种阵列基板及其制造方法,特别涉及一种能够降低配线信号延迟可自修复薄膜晶体管阵列基板及其制造方法。

背景技术

液晶显示器(liquid crystal display,LCD)是目前广泛使用的一种平面显示器,具有低功耗、外型薄、重量轻以及低驱动电压等特征。薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)是液晶显示器中最重要的一种,具有体积小、重量轻、无辐射等优点。薄膜晶体管液晶显示器通常包括液晶显示面板和背光模块。其中,液晶显示面板包括薄膜晶体管阵列基板、彩色滤光基板及设置于此两基板间的液晶层。液晶显示器的显示区域包含多个子像素区域,每个子像素区域一般为两条扫描线与两条数据配线交叉所定义的矩形或者其他形状区域,其内设置有薄膜晶体管(TFT)以及像素电极,薄膜晶体管充当开关元件。通过在像素中设置TFT形成有源矩阵液晶显示器,适合大画面、高分辨率、多灰度的液晶显示元件。

然而随着显示装置的显示区域的增加,连接到TFT的扫描配线变得越来越长,引起配线电阻的增加,导致信号延迟增加,从而给面内均匀显示带来了问题。为了降低由电阻增加而导致的信号延迟,中国公开专利200610132270.3和200610099012提出了采用电阻较低的铜配线,然而铜工艺与现有工艺的匹配性较低,并且可能带来其它问题。传统的做法就是采用增加配线线宽,这使得开口率降低,而导致成本上升;此外还有增加配线的膜厚、配线膜厚的增加,带来成本的增加,而且台阶覆盖性变差,导致产品良率下降。

此外在薄膜晶体管阵列基板的制造过程中,可能会出现扫描断线缺陷。当薄膜晶体管阵列基板发生扫描配线线缺陷时,若不针对其断线进行修复,将使得薄膜晶体管阵列基板的制造良率大幅下降,导致制造成本显著上升,因此有必要对扫描配线断线进行修复,目前常用激光修复方法,这导致制造过程复杂,制造成本的增加。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于提供一种能够降低配线信号延迟可自修复薄膜晶体管阵列基板及其制造方法。

为实现上述目的,本发明提供了一种薄膜晶体管阵列基板,在绝缘基板上依次形成有扫描配线导电层、绝缘层、数据导电层、钝化绝缘层及透明导电层,所述扫描配线导电层上形成有扫描配线和共通电极线,所述绝缘层包括栅绝缘膜,所述扫描配线至少部分裸露与之上数据导电层直接电接触。

本发明还提供了一种薄膜晶体管基板的制造方法,包括扫描配线导电层、绝缘层、数据导电层、钝化绝缘层及透明导电层五道掩膜工艺,所述的绝缘层制造方法中采用包括多灰色调区,灰色调区,透光区图案的多灰阶掩膜基板,该方法包括如下步骤:

(a)在绝缘基板上形成扫描配线导电层,所述扫描配线导电层包括扫描配线和共通电极线;

(b)在所述扫描配线导电层上沉积绝缘层,所述绝缘层包括栅绝缘膜,涂布光刻胶,利用所述多灰阶掩膜基板进行曝光显影,所述透光区和扫描配线导电层上的扫描配线相对齐,所述灰色调区和扫描配线导电层上的共通电极线相对齐;

(c)通过干刻将未受光刻胶保护的栅绝缘膜刻掉,从而使所述扫描配线裸露,而受光刻胶保护的栅绝缘膜则完全覆盖住所述共通电极线,接着去除光刻胶,形成最终的绝缘层;

(d)在所述绝缘层上形成数据导电层,所述数据导电层与所述裸露扫描配线直接电接触,形成双层导电层配线;

(e)在所述数据导电层上形成钝化绝缘层;

(f)在所述钝化绝缘层上形成透明导电层。

本发明所提出的薄膜晶体管基板,由于裸露的扫描配线和上面的数据导电层直接电接触,从而形成双层导电层配线,因此降低扫描配线的阻抗,在不降低开口率、不增加掩码数量、不增加各层膜厚的情况下,降低扫描配线的信号延迟。此外,如果裸露的扫描配线出现断线,通过与上面的数据导电层直接电接触把断线处相连,在不设置专门的修复线的情况下,实现了扫描配线断线的自修复,提高产品量率,降低生产成本。

附图说明

图1是本发明薄膜晶体管基板的俯视示意图。

图2为本发明实施例经过第一道掩膜工艺后的俯视示意图。

图2A到图2B为沿图2所示的A-A线的制作流程剖视图。

图3为本发明实施例经过第二道掩膜工艺后的俯视示意图。

图3A到图3F为沿图3所示的B-B线的制作流程剖视图。

图4为本发明实施例经过第三道掩膜工艺后的俯视示意图。

图4A到图4E为沿图4所示的C-C线的制作流程剖视图。

图5为本发明实施例经过第四道掩膜工艺后的俯视示意图。

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