[发明专利]设置有气体墙的蚀刻基板有效
| 申请号： | 200710175205.3 | 申请日： | 2007-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN101399166A | 公开（公告）日： | 2009-04-01 |
| 发明（设计）人： | 崔莹石;刘圣烈 | 申请（专利权）人： | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/3065;H01L21/311;H01L21/3213;C23F4/00 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘 芳 |
| 地址： | 100176北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 设置 气体 蚀刻 | ||
【权利要求书】：
1.一种设置有气体墙的蚀刻基板，所述蚀刻基板设有中部区域和周边区域，其特征在于：所述蚀刻基板的周边区域设置至少一个通过喷射气体形成气体墙以控制干蚀刻装置内蚀刻气体与蚀刻基板中部区域接触密度的喷射装置。
2.根据权利要求1所述的设置有气体墙的蚀刻基板，其特征在于：所述喷射装置包括设置在所述蚀刻基板周边区域的喷孔和套设在所述喷孔内的喷管。
3.根据权利要求2所述的设置有气体墙的蚀刻基板，其特征在于：所述喷射装置距离所述蚀刻基板的中部区域边缘0.1毫米～10毫米。
4.根据权利要求1所述的设置有气体墙的蚀刻基板，其特征在于：所述喷射装置包括设置在所述蚀刻基板周边区域的导管，所述导管设有至少一个喷缝。
5.根据权利要求4所述的设置有气体墙的蚀刻基板，其特征在于：所述喷缝为椭圆形或条形。
6.根据权利要求4所述的设置有气体墙的蚀刻基板，其特征在于：所述喷射装置距离蚀刻基板的中部区域边缘0.1毫米～10毫米。
7.根据权利要求1～6任一权利要求所述的设置有气体墙的蚀刻基板，其特征在于：所述气体墙的流量为300立方厘米/分～2100立方厘米/分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
