[发明专利]设置有气体墙的蚀刻基板

说明书

技术领域

本发明涉及一种蚀刻基板，特别涉及一种设置有气体墙的蚀刻基板。

背景技术

蚀刻工艺是制造TFT-LCD阵列基板过程中的一个重要步骤。蚀刻工艺根据蚀刻剂的物理状态分为干蚀刻工艺和湿蚀刻工艺，即干蚀刻工艺为利用蚀刻气体进行蚀刻的工艺，湿蚀刻工艺为利用蚀刻液体进行蚀刻的工艺。

目前，通过干蚀刻工艺蚀刻铝(以下简称为“Al”)时，由于Al材料本身的化学特性对氯气(以下简称为“Cl₂”)非常敏感，因此在干蚀刻装置内，从上部的进气装置、正对蚀刻基板中部中心区域吹出来的蚀刻气体被干蚀刻装置下部的抽气装置排出时，蚀刻气体并不是均匀地吹向蚀刻基板表面；而是吹向蚀刻基板中部外围区域的蚀刻气体量多于蚀刻基板中部中心区域的蚀刻气体量，导致了蚀刻基板中部外围区域的Al蚀刻速率相对加快，即蚀刻基板中部外围区域的Al蚀刻率大于中部中心区域的Al蚀刻率，从而不能以均匀的蚀刻率蚀刻Al。

图1为现有干蚀刻装置的结构示意图。图2为现有蚀刻基板的结构示意图。如图1和图2所示，蚀刻基板2设有中部区域21和周边区域22、中部区域21还设有中部中心区域2201和中部外围区域2202，蚀刻基板2的周边区域22设有一个具有设定高度的气体调节座9(Gas Regulation Block)，用于控制蚀刻气体与中部外围区域2102的接触密度，使得能够以均匀的蚀刻率对Al进行蚀刻。

但是通过设有气体调节座的蚀刻基板蚀刻非晶硅(amorphous silicon，以下简称为“a-Si”)、硅的氮化物(以下简称为“SiN_x”)或钼(以下简称为“Mo”)等材料时，气体调解座起反作用，即妨碍蚀刻基板上的a-Si、SiN_x或Mo等材料以均匀的蚀刻率被蚀刻掉。这时则需要拆除气体调解座。

这样导致了蚀刻Al的蚀刻基板和蚀刻a-Si、SiN_x或Mo等材料的蚀刻基板不能混用的缺陷，即用于蚀刻Al的蚀刻基板不能用于蚀刻a-Si、SiN_x或Mo等材料；用于蚀刻a-Si、SiN_x或Mo等材料的蚀刻基板不能用于蚀刻Al。

发明内容

本发明的目的是提供一种设置有气体墙的蚀刻基板，有效解决蚀刻Al的蚀刻基板和蚀刻a-Si、SiNx或Mo等材料的蚀刻基板不能混用的缺陷，使得在干蚀刻工艺中对Al进行蚀刻时不仅以较高的蚀刻率均匀度进行蚀刻，而且还不影响其它材料的蚀刻率均匀度。

为了实现上述目的，本发明提供一种设置有气体墙的蚀刻基板，蚀刻基板设有中部区域和周边区域，蚀刻基板的周边区域设置至少一个通过喷射气体形成气体墙以控制干蚀刻装置内蚀刻气体与蚀刻基板中部区域接触密度的喷射装置。

其中，喷射装置包括设置在蚀刻基板周边区域的喷孔和套设在喷孔内的喷管。

其中，喷射装置距离蚀刻基板的中部区域边界0.1毫米～10毫米。

其中，喷射装置包括设置在蚀刻基板周边区域的导管，导管设有至少一个喷缝。

其中，喷缝为椭圆形或条形。

其中，喷射装置距离蚀刻基板的中部区域边缘0.1毫米～10毫米。

其中，气体墙的流量为300立方厘米/分～2100立方厘米/分。

本实施例提出的蚀刻基板，在蚀刻基板的中部区域设置玻璃基板、在蚀刻基板周边区域设置通过喷射气体形成气体墙以控制干蚀刻装置内蚀刻气体与蚀刻基板接触密度的喷射装置，通过开关喷射装置，控制干蚀刻装置内蚀刻气体与蚀刻基板的接触密度。具体为：蚀刻Al时开启喷射装置，使其喷射气体以形成一堵气体墙，使得原本应该直接吹向蚀刻基板表面的蚀刻气体与喷射装置喷射的气体形成对流，使其在蚀刻基板的中部外围区域略微翘起，降低蚀刻基板的中部外围区域与蚀刻气体的接触密度，即控制蚀刻基板的中部外围区域的蚀刻气体的流量，使得对蚀刻气体比较敏感的Al以均匀的蚀刻率被蚀刻掉；蚀刻a-Si、SiN_x或Mo等材料时关闭喷射装置，就可以以均匀的蚀刻率对a-Si、SiN_x或Mo等材料进行蚀刻。这样可以有效地混用蚀刻Al材料的干蚀刻装置和蚀刻a-Si、SiN_x或Mo等材料的干蚀刻装置。

下面通过附图和实施例，对本发明的技术方案做进一步的详细描述。

附图说明

图1为现有干蚀刻装置的结构示意图；

图2为现有蚀刻基板的结构示意图；

图3为本发明蚀刻基板的结构示意图；

图4为本发明开启喷射装置时蚀刻气体流向示意图；