[发明专利]TFT-LCD阵列基板、液晶显示面板及其制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管液晶显示器阵列基板，包括玻璃基板，其特征在于，所述玻璃基板上设置有以逐行扫描方式提供光源的发光层，所述发光层上设置有阵列结构。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管液晶显示器阵列基板，其特征在于，所述发光层为形成在所述玻璃基板上并与所述阵列结构的栅电极形状相同的金属电致发光材料层。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管液晶显示器阵列基板，其特征在于，所述金属电致发光材料层为钨层或钨合金层。

4.根据权利要求1～3中任一权利要求所述的薄膜晶体管液晶显示器阵列基板，其特征在于，所述发光层的厚度为0.25μm～3.4μm。

5.根据权利要求1～3中任一权利要求所述的薄膜晶体管液晶显示器阵列基板，其特征在于，所述阵列结构包括：

栅电极，形成在所述发光层上；

栅绝缘层，形成在所述栅电极上，并覆盖整个玻璃基板；

非晶硅层，形成在所述栅电极上；

n⁺非晶硅层，形成在所述非晶硅层上；

源漏电极层，形成在所述n⁺非晶硅层上，并形成沟道区域；

钝化层，形成在所述源漏电极层上，并覆盖整个玻璃基板，其上形成钝化层过孔；

像素电极，形成在所述钝化层上，并通过所述钝化层过孔与所述源漏电极层中的漏电极连接。

6.一种包含权利要求1～5中任一权利要求所述薄膜晶体管液晶显示器阵列基板的液晶显示面板，其特征在于，包括与所述阵列基板对盒的彩膜基板，所述阵列基板的内侧设置有阵列取向膜，外侧依次设置有阵列偏光片和反光膜，所述彩膜基板的内侧设置有彩膜取向膜，外侧设置有彩膜偏光片。

7.根据权利要求6所述的液晶显示面板，其特征在于，所述阵列取向膜与彩膜取向膜的摩擦取向方向相互垂直，阵列偏光片与彩膜偏光片的偏振方向相同。

8.根据权利要求7所述的液晶显示面板，其特征在于，所述阵列取向膜的摩擦取向方向与阵列偏光片的偏振方向相同，所述彩膜取向膜的摩擦取向方向与彩膜偏光片的偏振方向相互垂直。

9.根据权利要求6、7或8所述的液晶显示面板，其特征在于，所述阵列基板的外侧还设置有散热组件，所述散热组件形成在所述反光膜上。

10.一种薄膜晶体管液晶显示器阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：

步骤1、在玻璃基板上依次沉积金属电致发光薄膜和金属薄膜，通过光刻工艺和蚀刻工艺形成形状相同的发光层和栅电极；

步骤2、在完成步骤1的玻璃基板上连续沉积栅绝缘层、非晶硅薄膜和n⁺非晶硅薄膜，通过光刻工艺和蚀刻工艺，在所述栅电极上形成非晶硅层和n⁺非晶硅层；

步骤3、在完成步骤2的玻璃基板上沉积金属薄膜，通过光刻工艺和蚀刻工艺形成源漏电极层，同时刻蚀掉暴露的n⁺非晶硅层，形成沟道区域；

步骤4、在完成步骤3的玻璃基板上沉积钝化层，并形成钝化层过孔；

步骤5、在完成步骤4的玻璃基板上沉积像素电极薄膜，通过光刻工艺和蚀刻工艺形成像素电极，使像素电极通过所述钝化层过孔与所述源漏电极层中的漏电极连接。

11.根据权利要求11所述的薄膜晶体管液晶显示器阵列基板的制造方法，其特征在于，所述步骤1具体为：

步骤11、在玻璃基板上依次沉积金属电致发光薄膜和栅金属薄膜；

步骤12、在完成步骤11的玻璃基板1上均匀涂覆光刻胶；

步骤13、通过掩膜板对位和紫外线曝光，使所述光刻胶曝光；

步骤14、经过显影、刻蚀和剥离光刻胶，形成形状相同的发光层和栅电极。

12.根据权利要求11或12所述的薄膜晶体管液晶显示器阵列基板的制造方法，其特征在于，所述金属电致发光薄膜为金属钨薄膜或金属钨合金薄膜。

13.根据权利要求11或12所述的薄膜晶体管液晶显示器阵列基板的制造方法，其特征在于，所述发光层的厚度为0.25μm～3.4μm。