[发明专利]TFT-LCD阵列基板、液晶显示面板及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种薄膜晶体管液晶显示器，尤其是一种TFT-LCD阵列基板、液晶显示面板及其制造方法。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid CrystalDisplay，简称TFT-LCD)具有体积小、功耗低、无辐射等特点，近十年得到飞速发展，从屏幕尺寸到显示质量都取得了很大进步。目前，LCD生产的重点集中在轻薄化、降低生产成本、提高市场竞争力等方面。

目前，现有技术LCD的生产模式和结构严重制约了LCD的轻薄化发展。现有技术LCD生产模式主要采用将液晶面板和背光源分开生产，LCD结构则是液晶面板和背光源组合封装。背光源是LCD的主要组成部分和重要资材，背光源的质量和成本直接影响到LCD的质量和成本，同时由于背光源的厚度远大于液晶面板的厚度，因此背光源的厚度也决定了LCD的厚度。

现有技术的背光源一般由反光板、荧光灯管、导光板、扩散板、底部棱镜、顶部棱镜、保护膜等部件组成，过多的部件导致背光源比较厚重，管理复杂，生产成本较高，因此导致LCD厚重，生产成本居高不下。同时，由于背光源的发光模式为整体同时发出同等强度的光，会导致一些应该显示为黑色的像素区仍然有少量光线透过，造成显示对比度下降。

发明内容

本发明的目的是提供一种TFT-LCD阵列基板、液晶显示面板及其制造方法，通过将背光源的功能集成到阵列基板上，大幅度降低液晶显示面板的厚度和重量，提高显示质量。

为了实现上述目的，本发明提供了一种TFT-LCD阵列基板，包括玻璃基板，所述玻璃基板上设置有以逐行扫描方式提供光源的发光层，所述发光层上设置有阵列结构。

所述发光层为形成在所述玻璃基板上并与所述阵列结构的栅电极形状相同的金属电致发光材料层。所述金属电致发光材料层为钨层或钨合金层。所述发光层的厚度为0.25μm～3.4μm。

所述阵列结构包括：

栅电极，形成在所述发光层上；

栅绝缘层，形成在所述栅电极上，并覆盖整个玻璃基板；

非晶硅层，形成在所述栅电极上；

n⁺非晶硅层，形成在所述非晶硅层上；

源漏电极层，形成在所述n⁺非晶硅层上，并形成沟道区域；

钝化层，形成在所述源漏电极层上，并覆盖整个玻璃基板，其上形成钝化层过孔；

像素电极，形成在所述钝化层上，并通过所述钝化层过孔与所述源漏电极层中的漏电极连接。

为了实现上述目的，本发明提供了一种液晶显示面板，包括与所述阵列基板对盒的彩膜基板，所述阵列基板的内侧设置有阵列取向膜，外侧依次设置有阵列偏光片和反光膜，所述彩膜基板的内侧设置有彩膜取向膜，外侧设置有彩膜偏光片。

所述阵列取向膜与彩膜取向膜的摩擦取向方向相互垂直，阵列偏光片与彩膜偏光片的偏振方向相同。所述阵列取向膜的摩擦取向方向与阵列偏光片的偏振方向相同，所述彩膜取向膜的摩擦取向方向与彩膜偏光片的偏振方向相互垂直。

所述阵列基板的外侧还设置有散热组件，所述散热组件形成在所述反光膜上。

为了实现上述目的，本发明还提供了一种TFT-LCD阵列基板的制造方法，包括：

步骤1、在玻璃基板上依次沉积金属电致发光薄膜和金属薄膜，通过光刻工艺和蚀刻工艺形成形状相同的发光层和栅电极；

步骤2、在完成步骤1的玻璃基板上连续沉积栅绝缘层、非晶硅薄膜和n⁺非晶硅薄膜，通过光刻工艺和蚀刻工艺，在所述栅电极上形成非晶硅层和n⁺非晶硅层；

步骤3、在完成步骤2的玻璃基板上沉积金属薄膜，通过光刻工艺和蚀刻工艺形成源漏电极层，同时刻蚀掉暴露的n⁺非晶硅层，形成沟道区域；

步骤4、在完成步骤3的玻璃基板上沉积钝化层，并形成钝化层过孔；

步骤5、在完成步骤4的玻璃基板上沉积像素电极薄膜，通过光刻工艺和蚀刻工艺形成像素电极，使像素电极通过所述钝化层过孔与所述源漏电极层中的漏电极连接。

所述步骤1具体为：

步骤11、在玻璃基板上依次沉积金属电致发光薄膜和栅金属薄膜；

步骤12、在完成步骤11的玻璃基板1上均匀涂覆光刻胶；

步骤13、通过掩膜板对位和紫外线曝光，使所述光刻胶曝光；

步骤14、经过显影、刻蚀和剥离光刻胶，形成形状相同的发光层和栅电极。

所述金属电致发光薄膜为金属钨薄膜或金属钨合金薄膜。所述发光层的厚度为0.25μm～3.4μm。