[发明专利]一种磷酸硼单晶的助熔剂生长方法

权利要求书

1.一种磷酸硼单晶的助熔剂生长方法，其步骤如下： 

(1)将磷酸硼化合物与助熔剂按比例进行配料，在研钵内研磨均匀，装入铂坩埚并在马弗炉内高温化料，然后将铂坩埚移入晶体生长炉，加热升温至完全熔化，恒温24小时至48小时使高温熔液充分均化，再降温至饱和温度之上2～15℃，得到含磷酸硼和助熔剂的高温熔体； 

所述助熔剂为Li₂O-MoO₃复合助熔剂； 

磷酸硼化合物与复合助熔剂Li₂O和MoO₃混合的摩尔配比为： 

磷酸硼∶Li₂O∶MoO₃＝1.0∶0.2～1.0∶0.2～1.5； 

(2)把装在籽晶杆上的籽晶放入上述步骤(1)制备的高温熔体中，恒温10～180分钟后，降温到饱和温度，以10转/分至50转/分的旋转速率转动籽晶杆，然后视晶体生长情况，以0.1～2℃/天的速率降温，待晶体长大后将晶体提离液面，以20℃/小时至50℃/小时的速率降至室温，便可得到磷酸硼单晶。 

2.按权利要求1所述的磷酸硼单晶的助熔剂生长方法，其特征在于，所述的磷酸硼化合物由下列化学反应制备： 

(1)NH₄H₂PO₄+H₃BO₃＝BPO₄+NH₃↑+3H₂O↑ 

(2)(NH₄)₂HPO₄+H₃BO₃＝BPO₄+2NH₃↑+3H₂O↑ 

(3)P₂O₅+2H₃BO₃＝2BPO₄+3H₂O↑ 

(4)2NH₄H₂PO₄+B₂O₃＝2BPO₄+2NH₃↑+3H₂O↑ 

(5)2(NH₄)₂HPO₄+B₂O₃＝2BPO₄+4NH₃↑+3H₂O↑ 

(6)P₂O₅+B₂O₃＝2BPO₄。

3.按权利要求1所述的磷酸硼单晶的助熔剂生长方法，其特征在于，所述磷酸硼化合物中所含B来自与磷酸硼化合物同当量比的含B化合物，所述含B化合物为H₃BO₃或B₂O₃； 

所述磷酸硼化合物中所含P来自与磷酸硼化合物同当量比的含P化合物，所述含P化合物为P₂O₅、NH₄H₂PO₄或(NH₄)₂HPO₄。 

4.按权利要求1所述的磷酸硼单晶的助熔剂生长方法，其特征在于，所述Li₂O-MoO₃复合助熔剂中的Li₂O来自于氢氧化锂、硝酸锂、草酸锂、乙酸锂或碳酸锂；所述Li₂O-MoO₃复合助熔剂中的MoO₃来源于氧化钼或钼酸铵。