[发明专利]一种增强氧化锌薄膜蓝光发射的方法无效
| 申请号： | 200710177789.8 | 申请日： | 2007-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN101442089A | 公开（公告）日： | 2009-05-27 |
| 发明（设计）人： | 张兴旺;游经碧;范亚明;屈盛;陈诺夫 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 增强 氧化锌 薄膜 发射 方法 | ||
1.一种增强氧化锌薄膜蓝光发射的方法，其特征在于，通过制备ZnO/Ag复合结构薄膜，利用Ag表面等离激元与ZnO带间发射间的共振耦合，使ZnO带间辐射复合速率加快；同时借助具有一定粗糙度的Ag薄膜表面将等离激元耦合成光，以达到增强ZnO薄膜带间的蓝光发射，同时有效地抑制ZnO薄膜中缺陷导致的绿光发射；
所述制备ZnO/Ag复合结构薄膜，是使用三靶射频磁控溅射系统制备ZnO/Ag复合结构薄膜，其包括如下步骤：
1)以Si(001)单晶片为衬底；
2)用99.99％的高纯Ag靶作为金属Ag薄膜沉积的溅射靶；
3)用99.99％的高纯ZnO陶瓷靶作为ZnO薄膜沉积的溅射靶；
4)采用ZnO/Ag双层结构，第一层沉积Ag，第二层沉积ZnO；
所述4)步中，沉积生长时的衬底-靶的间距d为50-80mm；
所述4)步中，第一层沉积Ag时，衬底温度为室温；工作气体为高纯氩，工作气体压强pAg＝1.0-2.0Pa；溅射功率WAg＝20-80W，沉积Ag所用的时间tAg＝5-40min；
所述4)步中，第二层沉积ZnO时，衬底温度TZnO＝400℃；工作气体为高纯氩，工作气体压强pZnO＝1.0-2.0Pa；溅射功率WZnO＝40-90W，沉积ZnO所用的时间tZnO＝30-80min。
2.根据权利要求1所述的增强氧化锌薄膜蓝光发射的方法，其特征在于，所述生长ZnO/Ag复合结构薄膜的装置三靶射频磁控溅射系统，其样品室背景真空度为1×10-5Pa，各磁控溅射靶能够独立的控制材料制备过程中的各个参数。
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