[发明专利]一种制备层厚均匀化的卤氧化铋的方法无效
申请号: | 200710178744.2 | 申请日: | 2007-12-05 |
公开(公告)号: | CN101186336A | 公开(公告)日: | 2008-05-28 |
发明(设计)人: | 杨青林;车玉萍;郭林 | 申请(专利权)人: | 北京航空航天大学 |
主分类号: | C01G29/00 | 分类号: | C01G29/00;B01J27/08;C09C1/00 |
代理公司: | 北京永创新实专利事务所 | 代理人: | 周长琪 |
地址: | 100083*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 制备 均匀 氧化 方法 | ||
1.一种制备层厚均匀化的卤氧化铋的方法,其特征在于有下列制备步骤:
第一步:将硝酸铋、含卤素阴离子的室温离子液体和含水介质放入反应容器中制得pH=1~2的反应液,反应液在温度18℃~100℃条件下,搅拌1~15h后过滤获得粗卤氧化铋产物;
用量:1L所述含水介质中添加0.05~2.00mol的硝酸铋,添加0.05~10.0mol的含卤素阴离子的室温离子液体;
所述含卤素阴离子的室温离子液体是有机阳离子和卤素阴离子组成的室温离子液体;所述有机阳离子是烷基咪唑阳离子、烷基吡啶阳离子、羧基吡啶阳离子或者氨基酸阳离子;所述卤素阴离子是Cl-或Br-;
第二步:将第一步制得的粗卤氧化铋产物放入去离子水中,在温度18℃~25℃条件下,洗涤3~7次后过滤得卤氧化铋产物;
第三步:将第二步制得的卤氧化铋产物在温度50℃~80℃条件下干燥20~90min后制得片状卤氧化铋。
2.根据权利要求1所述的制备层厚均匀化的卤氧化铋的方法,其特征在于:第一步中所述含水介质是去离子水与醇的混合液,混合液中的醇为5个碳之内的醇。
3.根据权利要求1所述的制备层厚均匀化的卤氧化铋的方法,其特征在于:第一步中的所述含水介质是去离子水。
4.根据权利要求1所述的制备层厚均匀化的卤氧化铋的方法,其特征在于:第一步中所述含卤素阴离子的室温离子液体是1-烯丙基-3-甲基咪唑氯室温离子液体、1-烯丙基-3-甲基咪唑溴室温离子液体、1-正丁基-3-甲基咪唑氯室温离子液体或者三溴化1-丁基-3-甲基咪唑室温离子液体。
5.根据权利要求1所述的制备层厚均匀化的卤氧化铋的方法,其特征在于:第一步制得的粗卤氧化铋产物中含有纯的BiOCl、或者纯的BiOBr、或者纯的BiOCl与纯的BiOBr固溶体。
6.根据权利要求1所述的制备层厚均匀化的卤氧化铋的方法,其特征在于:第一步制得的粗卤氧化铋产物中卤氧化铋固体的产率为95%以上。
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