[发明专利]基片偏移的诊断及校正方法和诊断及校正装置有效
申请号: | 200710179912.X | 申请日: | 2007-12-19 |
公开(公告)号: | CN101465311A | 公开(公告)日: | 2009-06-24 |
发明(设计)人: | 李永军 | 申请(专利权)人: | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/68 | 分类号: | H01L21/68;H01L21/66 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人: | 张天舒;陈 源 |
地址: | 100016北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 偏移 诊断 校正 方法 装置 | ||
1.一种基片偏移的诊断及校正方法,其特征在于包括以下步骤:
00)在第一检测点的切线位置处设置第一传感器,所述第一检测 点为基片位于基准位置时基片的最外侧点,所述切线与所述传送部件 的运动方向相平行;
10)诊断步骤:基于所述第一传感器的信号被传送部件所携带的 基片所打断的情况来判断所述基片是否发生偏移,如果无偏移,则不 进行下述校正步骤而直接结束本方法;如果有偏移,则转入下述校正 步骤;
20)校正步骤:根据设置在传输路径上的传感器的检测结果及基 片的尺寸,计算基片中心的实际坐标相对于其基准位置的偏移量;然 后根据所述偏移量调整所述基片的位置,使其消除偏移而回归基准位 置。
2.根据权利要求1所述的基片偏移的诊断及校正方法,其特征在 于,所述第一传感器为包括光发射装置和光接收装置的光电传感器。
3.根据权利要求2所述的基片偏移的诊断及校正方法,其特征在 于,所述诊断步骤具体包括下述步骤:
11)在传送部件携带基片运动的过程中,第一传感器中的光发射 装置向光接收装置发射光束,所述光接收装置实时接收所述光束,并 输出相应的电信号;
12)根据来自第一传感器的光接收装置的电信号,判断所述光束 是否被打断过,若光束被打断过且打断时间小于设定值,则判定基片 未偏离所述基准位置;若光束未曾被打断过、或者光束被打断过且打 断时间超过设定值,则判定基片偏离所述基准位置。
4.根据权利要求3所述的基片偏移的诊断及校正方法,其特征在 于,所述设定值为30微秒。
5.根据权利要求1至4中任意一项所述的基片偏移的诊断及校正 方法,其特征在于,所述校正步骤具体包括下述步骤:
21)根据设置在传输路径上的传感器的检测结果,获得所述传送 部件携带基片运动的距离;
22)根据所述运动距离以及基片的尺寸来计算基片中心的实际坐 标;
23)根据基片中心的实际坐标和基准坐标,计算基片实际位置相 对于其基准位置的偏移量;
24)根据所述偏移量来调整所述基片的位置,使其回归基准位置。
6.根据权利要求5所述的基片偏移的诊断及校正方法,其特征在 于,所述传感器包括第二传感器和/或第三传感器,所述第二传感器和 第三传感器均为包括光发射装置和光接收装置的光电传感器,每一个 所述光电传感器的光发射装置和光接收装置对应地设置在基片的上方 和下方。
7.根据权利要求6所述的基片偏移的诊断及校正方法,其特征在 于,所述步骤21)具体包括下述步骤:
211)在传送部件携带基片运动的过程中,第二传感器中的光发射 装置向第二传感器光接收装置发射光束,所述第二传感器光接收装置 实时接收所述光束,并输出相应的电信号;
212)根据来自第二传感器光接收装置的电信号,记录所述基片进 入/离开所述第二传感器的时刻;
213)根据基片进入/离开所述第二传感器的时刻以及传送部件的 运动速度,计算所述传送部件携带所述基片运动的距离。
8.根据权利要求6所述的基片偏移的诊断及校正方法,其特征在 于,所述步骤21)具体包括下述步骤:
261)在传送部件携带基片运动的过程中,第二传感器中的光发射 装置向第二传感器光接收装置发射光束,所述第二传感器光接收装置 实时接收所述光束,并输出相应的电信号;
262)根据来自第二传感器光接收装置的电信号,记录所述基片进 入/离开所述第二传感器时电机的位置参数;
263)根据基片进入/离开所述第二传感器时电机的位置参数,计 算所述传送部件携带所述基片运动的距离。
9.根据权利要求6所述的基片偏移的诊断及校正方法,其特征在 于,所述第二传感器到传送部件运动中心轴的距离L1与所述第三传感 器到传送部件运动中心轴的距离L2不相等,并且所述第二传感器和第 三传感器设置在传送部件运动中心轴的左右两侧。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造