[发明专利]基片偏移的诊断及校正方法和诊断及校正装置

说明书

技术领域

本发明涉及微电子技术领域，具体而言，涉及一种基片偏移的诊断及校正方法，同时还涉及一种基片偏移的诊断及校正装置。 

背景技术

在现代的半导体基片传输中，以中心传输腔室周围被多个工艺反应腔室包围为主流的系统架构，中心传输腔室配置有真空机械手，为包围传输腔室的各反应室装卸载基片。在这些反应腔室内可进行包括蚀刻、物理和化学气相沉淀、离子注入及光刻等工序。 

随着特征尺寸的逐渐减小和基片尺寸逐渐变大，围绕各个反应腔室的基片目标位置传送精度变得极为重要。高重复性和准确性基片传送可以确保设备低故障率和减少因基片中心对准不一致造成的基片损坏和生产损失。为了提高基片目标位置传送精度，现有技术中应用了多种方法来解决。例如手动校准方法，该方法是手动寻找目标传送位置并记忆此位置，其缺点是此方法依赖于操作者技巧，并且操作者为了充分目测目标传送和末端受动装置的位置，必须将系统腔室暴露在大气环境下执行操作，在恢复生产之前需要重新擦拭和抽气，这会消耗成本和时间，很难保证基片传输的精度、重复性、可靠性。 

2003年8月5日公开的Corrado等人的美国专利US 6603117所描述的通过反应腔室的基片固定位置安装的视觉探测系统，对基片中心相对于机械手手指中心的偏移探测和精确计算，然后进行偏移修正。其缺点是系统需要的一些精细的微处理芯片和电子元件不适宜高温和真空环境，并且视觉检测方法需要大量的复杂图像处理算法，实现成本也较高。 

发明内容

本发明所要解决的技术问题是针对现有技术存在的上述不足，提供一种基片偏移的诊断及校正方法和一种基片偏移的诊断及校正装置，所述方法和装置简单易行，节省CPU资源，并且能使基片准确传送，具有传送精度高、可靠性好等特点。 

为此，本发明的技术方案为：提供一种基片偏移的诊断及校正方法，其包括以下步骤：00)在第一检测点的切线位置处设置第一传感器，所述第一检测点为基片位于基准位置时基片的最外侧点，所述切线与所述传送部件的运动方向相平行；10)诊断步骤：基于所述第一传感器的信号被传送部件所携带的基片所打断的情况来判断所述基片是否发生偏移，如果无偏移，则不进行下述校正步骤而直接结束本方法；如果有偏移，则转入下述校正步骤；20)校正步骤：根据设置在传输路径上的传感器的检测结果及基片的尺寸，计算基片中心的实际坐标相对于其基准位置的偏移量；然后根据所述偏移量调整所述基片的位置，使其消除偏移而回归基准位置。 

其中，所述第一传感器为包括光发射装置和光接收装置的光电传感器。 

其中，所述诊断步骤具体包括下述步骤：11)在传送部件携带基片运动的过程中，第一传感器中的光发射装置向光接收装置发射光束，所述光接收装置实时接收所述光束，并输出相应的电信号；12)根据来自第一传感器的光接收装置的电信号，判断所述光束是否被打断过，若光束被打断过且打断时间小于设定值，则判定基片未偏离所述基准位置；若光束未曾被打断过、或者光束被打断过且打断时间超过设定值，则判定基片偏离所述基准位置。 

其中，所述设定值为30微秒。 

其中，所述校正步骤具体包括下述步骤：21)根据设置在传输路径上的传感器的检测结果，获得所述传送部件携带基片运动的距离；22)根据所述运动距离以及基片的尺寸来计算基片中心的实际坐标；23)根据基片中心的实际坐标和基准坐标，计算基片实际位置相对于其基准位置的偏移量；24)根据所述偏移量来调整所述基片的位置，使其回归基准位置。 

其中，所述传感器包括第二传感器和/或第三传感器，所述第二传感器和第三传感器均为包括光发射装置和光接收装置的光电传感器，每 一个所述光电传感器的光发射装置和光接收装置对应地设置在基片的上方和下方。 

其中，所述步骤21)具体包括下述步骤：211)在传送部件携带基片运动的过程中，第二传感器中的光发射装置向第二传感器光接收装置发射光束，所述第二传感器光接收装置实时接收所述光束，并输出相应的电信号；212)根据来自第二传感器光接收装置的电信号，记录所述基片进入/离开所述第二传感器的时刻；213)根据基片进入/离开所述第二传感器的时刻以及传送部件的运动速度，计算所述传送部件携带所述基片运动的距离。