[发明专利]集成电路结构

权利要求书

1.一种集成电路结构，包括：

一半导体底材；

一介电层，其成形于该半导体底材上；

一金属熔丝，其成形于该介电层中；

一无功能样品图案，其邻接于该金属熔丝；以及

一金属线，其成形于该介电层中，其中，该金属熔丝的厚度小于该金属线的厚度。

2.如权利要求1所述的集成电路结构，其特征是，该金属熔丝的厚度小于该金属线厚度的百分之十五。

3.如权利要求1所述的集成电路结构，其特征是，包括该金属熔丝的一局部熔丝区域具有大于百分之七十五的一局部图案密度。

4.如权利要求1所述的集成电路结构，其特征是，该金属熔丝的延伸外缘形成一局部熔丝区域，以及该局部熔丝区域中的剩余空间完全以无功能样品图案填充。

5.如权利要求1所述的集成电路结构，其特征是，该无功能样品图案的总面积大于该金属熔丝面积的百分之十。

6.如权利要求1所述的集成电路结构，其特征是，位于该无功能样品图案与该金属熔丝间的一距离小于0.1μm。

7.一种集成电路结构，包括：

一介电层；

一金属熔丝，其成形于该介电层中，并且具有一金属熔丝元件及一接触垫，其中，该接触垫连接于该金属熔丝元件；

一无功能样品图案，其邻接于该金属熔丝元件；以及

一局部熔丝区域，其具有该金属熔丝元件、该无功能样品图案及该接触垫，其中，该局部熔丝区域具有大于百分之七十五的一图案密度，以及该局部熔丝区域的面积大于1.2μm²。

8.如权利要求7所述的集成电路结构，其特征是，该局部熔丝区域与该介电层中的金属构造的最小单位面积的比例大于10。

9.如权利要求7所述的集成电路结构，其特征是，未被该金属熔丝所填充的该局部熔丝区域中的空间完全以该无功能样品图案填充。

10.如权利要求7所述的集成电路结构，其特征是，该金属熔丝还包括一附加接触垫，该附加接触垫连接于该金属熔丝元件，该局部熔丝区域由该接触垫的延伸外缘及该附加接触垫所定义。

11.如权利要求7所述的集成电路结构，其特征是，该金属熔丝的厚度小于该介电层厚度的百分之十五。

12.一种集成电路结构，包括：

一介电层；

一金属熔丝，其成形于该介电层中，并且具有一金属熔丝元件及两个接触垫，其中，每一接触垫连接于该金属熔丝元件的一端；

一局部熔丝区域，由所述接触垫的延伸外缘所定义，其中，该局部熔丝区域具有未被该金属熔丝元件及所述接触垫所填充的多个空间；以及

多个无功能样品图案，其成形于该介电层中，并且填充于所有所述空间中，其中，所述无功能样品图案间隔于该金属熔丝元件及所述接触垫。

13.如权利要求12所述的集成电路结构，其特征是，该距离等于该集成电路结构的成形技术所容许的一最小距离。

14.如权利要求12所述的集成电路结构，其特征是，该局部熔丝区域具有大于百分之七十五的图案密度。

15.如权利要求12所述的集成电路结构，还包括多个附加无功能样品图案，其中，所述附加无功能样品图案位于该局部熔丝区域之外，并且邻接于该金属熔丝，以及具有该局部熔丝区域及所述附加无功能样品图案的一区域的图案密度大于百分之七十五。