[发明专利]像素阵列结构及其制造方法

权利要求书

1.一种像素阵列结构，包括：

多条扫描线；

多条数据线，所述多条扫描线与所述多条数据线围出多个像素区；

多个像素结构，分别电连接所对应的所述多条扫描线与所述多条数据线，各所述像素结构位于所对应的所述多个像素区内，各所述像素结构包括：

有源元件；

像素电极，电连接该有源元件；以及

储存电容，具有储存电容下电极，配置于该像素区周边并与像素电极部分重叠，该储存电容下电极包括邻近所述多条数据线的至少一个第一线段以及邻近所述多条扫描线的至少一个第二线段，其中该第一线段与该第二线段为不同膜层且该第一线段与邻近的其中该数据线为不同膜层而该第二线段与邻近的其中一条该扫描线为不同膜层。

2.如权利要求1所述的像素阵列结构，其中该第一线段与该第二线段部分交叠并电连接。

3.如权利要求1所述的像素阵列结构，其中该第一线段与所述多条扫描线为同一膜层，而该第二线段与所述多条数据线为同一膜层。

4.如权利要求1所述的像素阵列结构，其中该储存电容下电极的外形为ㄇ型或U型，且该储存电容下电极包括两个第一线段，而该第二线段的两端分别与所述两个第一线段交叠并电连接。

5.一种像素阵列结构的制造方法，包括：

在基板上形成第一金属层，该第一金属层包括多个栅极、多条扫描线与多个第一线段，所述多个栅极与所述多条扫描线连接，而所述多个第一线段与所述多条扫描线分离；

在该基板上依次形成栅绝缘层以及半导体层，该栅绝缘层覆盖该第一金属层；

移除部分该栅绝缘层以及部分该半导体层以形成图案化半导体层以及多个接触窗，该图案化半导体层位于所述多条栅极上方而所述多个接触窗暴露出所述多条第一线段的末端；以及

在该基板上形成第二金属层，该第二金属层包括邻近所述多条扫描线的多个第二线段、邻近所述多条第一线段的多条数据线、连接所述多条数据线的多个源极以及多个漏极，所述多条数据线与所述多条扫描线相交而围成多个像素区，所述多条源极与所述多条漏极位于所述多条栅极上方，而所述多条第二线段通过所述多个接触窗电连接所述多条第一线段以形成多个储存电容下电极，其中所述多个储存电容下电极位于所述多条像素区周边。

6.如权利要求5所述的制造方法，还包含：

在该基板上形成保护层以覆盖该第二金属层；以及

在该保护层上形成多个像素电极，所述多个像素电极电连接所述多个漏极且所述多个像素电极与所述多个储存电容下电极部分重叠以构成储存电容。

7.如权利要求5所述的制造方法，其中形成该图案化半导体层以及所述多条接触窗的方法包括：

在该半导体层上形成图案化光致抗蚀剂层，对应于各所述像素区中，该图案化光致抗蚀剂层具有至少一个开口、第一区域以及该第一区域与该开口之外的第二区域，该开口位于该第一线段上方，该第一区域位于该栅极上方，且该图案化光致抗蚀剂层在该第一区域的厚度大于在该第二区域的厚度；

移除该开口所暴露出来的该半导体层以及该栅绝缘层，而形成该接触窗；

移除该第二区域的该图案化光致抗蚀剂层；以及

移除该第二区域中的该半导体层。

8.如权利要求7所述的制造方法，其中该图案化光致抗蚀剂层的形成方法包括在该基板上形成光致抗蚀剂材料层以及使用半透光掩模以图案化该光致抗蚀剂材料层。

9.如权利要求8所述的制造方法，其中该半透光掩模具有多个不同透光度的透光区域。