[发明专利]像素阵列结构及其制造方法

说明书

技术领域

本发明有关于一种像素阵列结构及其制造方法，且特别有关于一种具有高显示开口率的像素阵列结构及其制造方法。

背景技术

由于显示器的需求与日剧增，加上近年来绿色环保概念的兴起，具有高画质、空间利用效率佳、低消耗功率、无辐射等优越特性的薄膜晶体管液晶显示器(thin film transistor liquid crystal display，TFT-LCD)已逐渐成为显示器市场的主流。为了满足使用者的需求，薄膜晶体管液晶显示器的性能不断朝向高对比度(high contrast ratio)、无灰阶反转(no gray scale inversion)、色偏小(little color shift)、亮度高(high luminance)、高色彩丰富度、高色彩饱和度、快速反应、显示画面稳定与广视角等特性发展。

一般而言，薄膜晶体管液晶显示器主要由分别配置有像素阵列与彩色滤光阵列的两个基板以及配置于此两基板之间的液晶层所组成。图1显示为公知的像素阵列结构的局部示意图。像素阵列结构100包括多条扫描线102、多条数据线104以及与这些扫描线102、数据线104电连接的多个像素结构110。扫描线102与数据线104相交而围成多个像素区P(图1仅显示一个)，且像素结构110配置于像素区P中。像素结构110包括有源元件112与像素电极114。有源元件112电连接其中一条扫描线102与其中一条数据线104，而像素电极114则电连接有源元件112。另外，像素阵列结构100还包括有储存电容下电极120，其与像素电极114构成储存电容以维持像素结构110显示图像的稳定。这些储存电容下电极120大多由大面积的金属线所组成，而可能影响像素结构100的显示开口率。因此，储存电容下电极120多配置于像素区P周边。

实际上，储存电容下电极120一般会与扫描线102以相同膜层制作，所以储存电容下电极120与扫描线102之间必须维持足够的距离d以避免两线路之间发生短路。换言之，为顾及工艺的合格率，避免储存电容下电极120与扫描线102间的短路，必会牺牲像素结构110的显示开口率。若像素阵列结构100应用于穿透式液晶显视器时，则必须提高背光源的发光性能以维持适当的显示亮度。因此，像素阵列结构100无法有效地节省能源的耗费。为了维持像素结构110显示画面的稳定性又要能够兼顾良好的显示开口率，甚至进一步降低能源的耗费，必须对公知的像素阵列结构100进行改进。

发明内容

本发明是提供一种像素阵列结构，以提升像素阵列结构的显示开口率。

本发明还提供一种像素阵列结构的制造方法，以提高像素阵列结构的制造工艺合格率并使像素阵列结构具有高显示开口率。

本发明提出一种像素阵列结构，包括多条扫描线、多条数据线以及多个像素结构。扫描线与数据线围出多个像素区，而各像素结构电连接所对应的扫描线与数据线。各像素结构位于所对应的像素区内。各像素结构包括有源元件、电连接有源元件的像素电极以及储存电容。储存电容下电极配置于像素区周边并与像素电极部分重叠以构成储存电容。储存电容下电极包括邻近数据线的至少一个第一线段以及邻近扫描线的至少一个第二线段。第一线段与第二线段为不同膜层且第一线段与邻近的其中一条数据线为不同膜层而第二线段与邻近的其中一条扫描线为不同膜层。

如上所述的像素阵列结构，其中该第一线段与该第二线段部分交叠并电连接。

如上所述的像素阵列结构，其中该第一线段与所述扫描线为同一膜层，而该第二线段与所述数据线为同一膜层。

如上所述的像素阵列结构，其中该储存电容下电极的外形为ㄇ型或U型，且该储存电容下电极包括两个第一线段，而该第二线段的两端分别与所述两个第一线段交叠并电连接。