[发明专利]半导体装置无效
| 申请号： | 200710180994.X | 申请日： | 2004-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN101136390A | 公开（公告）日： | 2008-03-05 |
| 发明（设计）人： | 半治彦士;松井康浩 | 申请（专利权）人： | 株式会社瑞萨科技 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/525;H01L23/532 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王小衡 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体装置，包括：
熔片布线；
在所述熔片布线的上方介于绝缘膜形成的熔片部；
连接所述熔片布线和所述熔片部的连接部，
所述熔片布线和所述熔片部之间的所述绝缘膜包含由高密度等离子体形成的氧化膜。
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征是，
所述熔片布线的耐热性高于所述熔片部的耐热性。
3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征是，
位于所述熔片部上的所述绝缘膜的厚度薄于所述熔片布线和所述熔片部之间的所述绝缘膜的厚度。
4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征是，
在与所述熔片布线的延长方向垂直的断面中的所述熔片部的断面积小于在与所述熔片布线的延长方向垂直的断面中的该熔片布线的断面积。
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