[发明专利]半导体装置

说明书

本申请是申请号为200410063801.9、申请日为2004年7月9日的原案申请的分案申请，该原案的在先申请为JP2003-195021、优先权日为2003年7月10日。

技术领域

本发明涉及半导体装置，尤其涉及具有熔片部的半导体装置。

背景技术

作为具有熔片构造的以往的半导体装置，可例举出特开平7-273200号公报(现有例1)中记载的内容等。

在现有例1中披露的方法是，作为修正半导体存储器的电路图案缺陷的修复技术，在芯片内设置预备存储单元(冗长电路)，当出货前确认出原来的存储单元缺陷时，通过用激光束切断规定的熔片，来从线上分离发生缺陷的存储单元，并使预备的存储单元成为有效状态。进一步在现有例1中披露的半导体装置是，使该方法所用的熔片本身微细化，使熔片配置的间隔变窄，此时使熔片切断区域以外的绝缘膜等的损伤达到最小限度，并且防止相邻的熔片切断，为此具有并列配置的多个熔片，在这种半导体装置中，用可反射熔片切断用束的铝等组成的反射板覆盖多个熔片，在该反射板中与上述各熔片对应开口多个束照射窗，并且在熔片的长度方向错开配置这些多个束照射窗的相邻的2个束照射窗。

但是，在上述的半导体装置中，存在以下问题。

在熔片切断时，通过基于激光束的瞬间加热，该熔片与氧化膜(绝缘膜)一起爆发式地被切断。在此，由于上述的爆发冲击，存在对切断部分以外的熔片布线及绝缘膜造成损害的悬念。

这里，在现有例1中，虽然披露了通过反射板的设置来使受到氧化膜损害的区域达到最小限度的思想，但并未披露使熔片与布线的距离变大而布线不易受到熔片烧断的影响的思想。

另外，从与上述不同的观点出发，还存在具有现有例1中的束照射窗的反射板的生成过程是非常棘手的低效率工序的问题。

发明内容

本发明是鉴于上述问题而进行的，本发明的目的在于提供一种布线不易受到熔片烧断的影响的半导体装置。

本发明的半导体装置包括熔片布线；在熔片布线的上方介于绝缘膜形成的熔片部；连接熔片布线和熔片部的连接部。熔片部和熔片布线同材质形成，在与熔片布线的延长方向垂直方向的断面中的熔片部的断面积小于在与熔片布线的延长方向垂直方向的断面中的该熔片布线的断面积。

依据本发明，在半导体装置的熔片切断时，可以抑制基于激光束的熔断对接近的布线造成的损害。

本发明上述以及其它目的、特征、模式和优点，根据与附图关联理解的关于本发明的以下详细说明会变得更加明确。

附图说明

图1是本发明实施方式1的半导体装置中熔片构造的平面图。

图2是图1所示熔片构造的II-II断面图。

图3是图1所示熔片构造的III-III断面图。

图4是本发明实施方式2的半导体装置中熔片构造的平面图。

图5是图4所示熔片构造的V-V断面图。

图6是图4所示熔片构造的VI-VI断面图。

图7是本发明实施方式3的半导体装置中熔片构造的断面图。

具体实施方式

以下利用图1～图7对基于本发明的半导体装置的实施方式进行说明。

(实施方式1)

在半导体装置的存储单元阵列部形成多个存储单元，该存储单元被绝缘保护膜覆盖。在与存储单元阵列部邻接的位置设置形成对存储单元的动作进行控制的外围电路的外围电路部，在该外围电路部设置从线上分离发生缺陷的存储单元，与预备的存储单元进行置换用的熔片。

图1是表示实施方式1的半导体装置的熔片部分的平面图。而且，图2和图3分别表示图1中的II-II断面、III-III断面。

本实施方式的半导体装置如图1～图3所示，具备在绝缘膜8A上形成的熔片布线3、在该熔片布线3上方介于绝缘膜8B形成的作为熔片部的熔断部1、连接熔片布线3和熔断部1的作为连接部的插塞7。而且，在绝缘膜8B上覆盖熔断部1形成有绝缘膜8C。另外，在熔断熔断部1时，对该熔断部1在朝熔片布线3的方向照射激光束6(图2、图3中的箭头)。

熔断部1由比如多晶硅或Al合金等用激光束6容易熔断的材料构成。而且，作为插塞7的材质如采用钨。

而且，熔断部1如图1所示交错配置，在熔断某熔断部时，其它熔断部不被包含在激光照射区域4中。由此，不会给接近应切断的布线的其它布线的熔断部带来损害。而且，由于交错配置熔断部1而可以使布线间间隔5缩小。