[发明专利]岛状式承载板及其制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种承载基板，特别是涉及一种用来承载发光组件并具有岛状结构的承载基板及其制作方法。

背景技术

发光二极管(Light Emitting Diode，LED)的发光原理是利用不同渗杂〔Doping〕形成p-n接面，当电子与空穴结合时以光的形式放出能量，光形式基本上为无穷多点光源的集合。发光二极管具有高耐久性、寿命长、轻巧、耗电量低等优点，且不含水银等有害物质，因此当今的照明市场对于发光二极管照明寄予极大厚望。

发光二极管的发光效率一般称为组件的外部量子效率(External QuantumEfficiency；EQE)，其为组件的内部量子效率(Internal Quantum Efficiency；IQE)及组件的光萃取效率(Light Extraction Efficiency；LEE)的乘积。所谓组件的内部量子效率其实就是组件本身的电光转换效率，主要与组件本身的特性如组件材料的能带、缺陷、杂质及组件的外延组成及结构等相关。而组件的光萃取效率指的则是组件内部产生的光子，在经过组件本身的吸收、折射、反射后实际上在组件外部可测量到的光子数目。因此相关于光萃取效率的因素包括了组件材料本身的吸收系数、折射率，组件的几何结构、表面粗糙度、组件及封装材料的折射率差及组件封装的形式等。而上述两种效率的乘积，就是整个组件的发光效果，也就是组件的外部量子效率。

在封装形式方面，除了公知的晶面朝上(Face-Up)的架构外，目前大都积极朝向晶面向下(Face-Down)的芯片倒装焊(Flip-Chip)形式发展，因为此种形式可大幅改善散热及光萃取的效果。目前较热门的芯片倒装焊架构有两种：一种是薄型发光二极管，主要是将镀上反射层后的外延层翻转以连接层固定在承载基板〔Sub-mount〕上，然后剥离成长基板并粗化其上表面。另一种是芯片倒装焊发光二极管，大体上的架构与薄型化类似，最大的差别在于其是以数个金属球与承载基板固定，外延层与承载基板之间夹着一层可出光的空间，可减少芯片倒装焊LED下方出光再度进入组件内部被吸收的量。

参考第图1，为公知的芯片倒装焊架构示意图。在图1中，公知的芯片倒装焊架构是将发光组件11利用金属球12与承载基板13固定，但是由发光组件下方所发出的光线，仍会经由承载基板13表面反射进入发光组件11中，造成二度吸收，减弱最后出光的能量。

发明内容

本发明的目的在于提供一种岛状式承载板(Hilly-Submount)及其制作方法，其中岛状式承载板是一种具有岛状结构的基板，来避免发光组件下方出光后再度进入组件内部被吸收。

为了实现上述目的，本发明提供了一种岛状式承载板，用以承载至少一发光组件，该发光组件具有至少一电性接点，其包含有：基板、至少一个以上的岛状结构和导电层。至少一个以上的岛状结构，位于基板上并对应至少一发光组件的电性接点，且岛状结构具有顶面与斜面。该岛状结构的顶面对应该发光组件的电性接点，且该岛状结构的斜面用以将发光组件下方出光反射引导由侧方逸出；导电层，设置于岛状结构表面并至少覆盖顶面，以与发光组件电性接点电性连接。

为了实现上述目的，本发明还提供了一种岛状式承载板的制作方法，用以承载至少一发光组件，且该发光组件与岛状式承载板具有至少一电性接点，该制造方法包含有：提供一基板；在该基板上形成至少一个岛状结构，且岛状结构对应电性接点，岛状结构具有顶面与斜面；在基板上形成导电层，该导电层至少覆盖顶面；及覆盖于顶面的导电层连接电性接点。

本发明的岛状式承载板及其制作方法，用以引导发光组件下方出光由侧方逸出，避免再度反射进入发光组件而造成二度吸收，提高发光组件整体的光萃取效率。

下面结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的限定。

附图说明

图1为公知的芯片倒装焊架构示意图；

图2为本发明的第一实施例示意图；

图3A为本发明的岛状结构斜面示意图；

图3B为本发明的岛状结构斜面另一示意图；

图4为本发明的第二实施例示意图；

图5为本发明的第三实施例示意图；

图6为本发明的第三实施例俯视图；

图7为本发明的第四实施例示意图；

图8为本发明的第五实施例示意图；

图9为本发明的第六实施例示意图；

图10为本发明的第七实施例示意图；

图11为本发明的第八实施例示意图；

图12为本发明的第九实施例示意图；