[发明专利]导通垫的成型方法

说明书

技术领域

本发明有关一种导通垫的成型方法，不需藉由蚀刻技术即 可形成导通垫的成型方法。

背景技术

铟锡氧化物(Indium Tin Oxide，ITO)导电膜层为目前具有研究与 经济价值的热门产物之一，其常见的使用范围包括有：车用液晶显示 器、触控面板、隔离电磁波玻璃、液晶手表、家电用品液晶面板、太 阳电池、携带式液晶电玩、量测仪器用的显示器、液晶彩色电视、笔 记型个人计算机、便携式个人计算机、电浆显示器(PDP)、EL、液晶显 示器(LCD)，以及彩色滤镜用的电极等等。

如图1所示为一般应用于触控面板的铟锡氧化物(Indium Tin Oxide，ITO)导电膜层，该导电膜层11设置于基板12上，请同时参阅 图2至图5所示，而导电膜层11上并设有绝缘层13，且绝缘层上13并设 有复数穿孔131，以供导电膜层11露出而形成导通垫14，由该导通垫14 得以与外部控制电路连接。

至于习用的导通垫制造流程基本上包括如图3至图5所示的步骤； 首先如图3所示，以显影技术完成有光阻图案15，该光阻图案15用以将 绝缘层13上不需形成导通垫部位覆盖，而将欲形成导通垫处A露出；之 后如图4所示，利用蚀刻技术移除未覆盖有光阻图案15的绝缘层13，以 在绝缘层上13上形成复数穿孔131；最后如图5所示，将光阻图案15去 除，即可使导电膜层11部份区域的绝缘层13外露，并形成有用以构成 与外部控制电路电性导通的导通垫14。

而上述习有的制造流程中，需藉由蚀刻技术移除未覆盖有光阻图 案的绝缘层，该蚀刻技术可利用湿式蚀刻(Wet Etching)或干式蚀刻(Dry Etching)，而习有制程利用湿式蚀刻技术，该湿式蚀刻即利用特定的化 学溶液将未被光阻覆盖的部分形成化学反应而分解，并转成可溶于此 溶液的化合物后加以排除，而达到蚀刻的目的。然而，一般多利用氢 氟酸(HF)的蚀刻液；惟，该氢氟酸(HF)的蚀刻液以及分解后化合物的蚀 刻废液却有环保的问题。

发明内容

本发明的主要目的即在提供一种不需藉由蚀刻技术即可形成导通 垫的成型方法，其依序包括有下列步骤：

a)提供一具有导电膜层的基板；b)形成剖面为倒角形状的光阻图 案于导电膜层上预留导通垫的位置处；c)利用沉积技术在导电膜层未 覆盖有光阻图案处，以及光阻图案上形成绝缘层；d)、剥离该光阻图案， 并连同覆盖在光阻图案上的绝缘层去除，以形成有用以构成与外部控 制电路电性导通的导通垫。

具体而言，本发明具有下列功效：

1、本发明相较于习有不需要蚀刻技术，即可形成导通垫，其加工 较为简便且省去蚀刻的成本。

2、因不需要蚀刻技术，亦不需使用蚀刻液及不会产生蚀刻废液， 进而不会有环保问题。

3、不会产生蚀刻废液，亦不需另外设备处理该蚀刻废液。

说明书附图

图1为一般应用于触控面板的导电膜层结构立体图；

图2～图5为习用导通垫的制造流程示意图；

图6为本发明中导通垫的制造流程图；

图7～图9为本发明中导通垫的制造流程示意图；

图10～图12为本发明中导通垫的另一制造流程示意图。

【图号说明】

导电膜层11    基板12

绝缘层13      穿孔131

导通垫14      光阻图案15

导电膜层21    基板22

光阻图案23    绝缘层24

穿孔241       导通垫25

具体实施方式

本发明的特点，可参阅本案图式及实施例的详细说明而获得清楚 地了解。

本发明导通垫的成型方法，如图6至图9所示，依序包含有下列步 骤：。