[发明专利]非易失性存储器件及其形成方法

权利要求书

1.一种在包括单元区、低压区和高压区的衬底上形成非易失性存储器件的方法，所述方法包括：

在所述单元区中形成接地选择晶体管、串选择晶体管以及单元晶体管，在所述低压区中形成低压晶体管，以及在所述高压区中形成高压晶体管；

在所述接地选择晶体管的杂质区上形成公共源极接触件，以及在所述低压晶体管的杂质区上形成第一低压接触件；

在所述串选择晶体管的杂质区上形成位线接触件，以及在所述高压晶体管的杂质区上形成第一高压接触件；以及

在所述位线接触件上形成位线。

2.如权利要求1所述的方法，还包括，在形成所述位线接触件之前，在所述公共源极接触件上形成公共源极焊盘。

3.如权利要求2所述的方法，还包括，与形成所述公共源极焊盘同时，在所述第一低压接触件上形成第一低压焊盘。

4.如权利要求3所述的方法，还包括，与形成所述位线接触件同时，在所述第一低压焊盘上形成第二低压接触件，以及

与形成所述位线同时，在所述第二低压接触件上形成第二低压焊盘。

5.如权利要求2所述的方法，还包括，与形成所述公共源极接触件同时，在所述低压晶体管的栅极上形成低压栅极接触件，以及在所述高压晶体管的栅极上形成高压栅极接触件。

6.如权利要求5所述的方法，还包括，与形成所述公共源极焊盘同时，在所述低压栅极接触件上形成低压栅极焊盘，以及在所述高压栅极接触件上形成高压栅极焊盘。

7.如权利要求6所述的方法，还包括，与形成所述位线接触件同时，在所述低压栅极焊盘上形成第二低压栅极接触件，以及

与形成所述位线同时，在所述第二低压栅极接触件上形成第二低压栅极焊盘。

8.如权利要求6所述的方法，还包括，与形成所述位线接触件同时，在所述高压栅极焊盘上形成第二高压栅极接触件，以及

与形成所述位线同时，在所述第二高压栅极接触件上形成第二高压栅极焊盘。

9.如权利要求2所述的方法，还包括，与形成所述位线同时，在所述第一高压接触件上形成第一高压焊盘。

10.如权利要求9所述的方法，还包括，与形成所述位线接触件同时，在所述高压晶体管的栅极上形成高压栅极接触件，以及

与形成所述位线同时，在所述高压栅极接触件上形成高压栅极焊盘。

11.一种非易失性存储器件，其包括：

包括单元区、低压区以及高压区的衬底；

所述单元区中的接地选择晶体管、串选择晶体管以及单元晶体管，所述低压区中的低压晶体管，以及所述高压区中的高压晶体管；

所述接地选择晶体管的杂质区上的公共源极接触件，以及所述低压晶体管的杂质区上的第一低压接触件；

所述串选择晶体管的杂质区上的位线接触件，以及所述高压晶体管的杂质区上的第一高压接触件；

所述位线接触件上的位线；

所述衬底上的第一层间绝缘层；以及

所述第一层间绝缘层上的第二层间绝缘层；

其中所述公共源极接触件和所述第一低压接触件延伸到所述第一层间绝缘层的高度，以及其中所述位线接触件和所述第一高压接触件延伸到所述第二层间绝缘层的高度。

12.如权利要求11所述的非易失性存储器件，还包括在所述公共源极接触件上的公共源极焊盘，所述公共源极焊盘将所述公共源极接触件电连接到相邻的公共源极接触件。

13.如权利要求12所述的非易失性存储器件，还包括在所述第一低压接触件上的第一低压焊盘，

其中所述第一低压焊盘和所述公共源极焊盘位于所述第一层间绝缘层上。

14.如权利要求13所述的非易失性存储器件，还包括在所述第一低压焊盘上的第二低压接触件，以及在所述第二低压接触件上的第二低压焊盘，

其中所述第二低压接触件延伸到所述第二层间绝缘层的高度，以及所述第二低压焊盘和所述位线位于所述第二层间绝缘层上。